找到“IB2405S”相关的规格书共1,792个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| BC807-25LWF | Nexperia | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：700mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：160@100mA,1V 特征频率(fT)：80MHz 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| BCP56-16HX | Nexperia | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：80V 集电极电流(Ic)：1A 功率(Pd)：725mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@150mA,2V 特征频率(fT)：155MHz 工作温度：+175℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| BC846A | Guangdong Hottech Co. Ltd. | NPN 集射极击穿电压(Vceo)：65V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@100mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：110@2mA,5V 特征频率(fT)：100MHz 档位：110-220 | 获取价格 | ||
| MMBTA06WT1G | ON Semiconductor | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：80V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：150mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：250mV@100mA,10mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| 2SAR573DFHGTL | Rohm Semiconductor | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):10W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@1A,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@100mA,3V;特征频率(fT):300MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2N5551 C | HL | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):150@10mA,5V;特征频率(fT):80MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCX 42 E6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):125V;集电极电流(Ic):800mA;功率(Pd):330mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):900mV@300mA,30mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@200mA,1V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC 858B E6433 | Infineon Technologies | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):330mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCP 69-25 H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):3W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@1A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@500mA,1V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC 857C E6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):330mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):520@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC 849CW H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):520@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BFN 39 H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@20mA,2mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):25@1mA,10V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC 846S H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:1个NPN,1个PNP;集射极击穿电压(Vceo):65V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC 817U E6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:2个NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):330mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):700mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@100mA,1V;特征频率(fT):170MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCX 56-16 H6433 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@150mA,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC 847CW H6433 | Infineon Technologies | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC 817SU E6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@100mA,1V;特征频率(fT):170MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCP 53-16 H6433 | Infineon Technologies | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@150mA,2V;特征频率(fT):125MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCX 55-16 H6433 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@150mA,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC 860B E6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):330mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
