找到“IR21091SPbF”相关的规格书共8,091个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| BZX84C15 | DIOS | 齐纳/稳压二极管 Vz=15V 13.8V~15.6V Izt=5mA IR=100nA P=300mW SOT23 | 获取价格 | ||
| BAV199LT1G | ON Semiconductor | 开关二极管（小信号）1对串联式 直流反向耐压VR=70V 整流电流215mA 反向电流(Ir)5uA@70V | 获取价格 | ||
| BAS21AHT1G | ON Semiconductor | BAS21AHT1G 是一款低漏开关二极管，采用 SOD-323 封装。该器件与 BAS21HT1G 相同，但性能更佳，符合逆向漏电流 (IR) 规范。 | 获取价格 | ||
| 1SS356VMTE-17 | Rohm Semiconductor | 开关二极管（小信号） SOD323FL VR=35V IF=100mA VF=1V IR=10nA Ct=1.2pF | 获取价格 | ||
| SZMMSZ20T1G | ON Semiconductor | 齐纳/稳压二极管 Vz1=19V~21V Izt1=5mA Ir=50nA@14V SOD123 | 获取价格 | ||
| 1N6266 | ON Semiconductor | Infrared (IR) Emitter 940nm 1.7V 100mA 25mW/sr @ 100mA 20° TO-46-2 Lens Top Metal Can | 获取价格 | ||
| QBLP651-IR1 | QT Brightek (QTB) | Infrared (IR) Emitter 940nm 1.3V 50mA 0.6mW/sr @ 20mA 40° 1206 (3016 Metric) | 获取价格 | ||
| EAIST1708A1 | Everlight Electronics Co Ltd | Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 65mA 0.2mW/sr @ 20mA 140° 2-SMD, No Lead | 获取价格 | ||
| BZB784-C5V1,115 | Nexperia | 二极管配置：1对共阳极 稳压值(范围)：4.8V~5.4V 精度：±5% 功率：350mW 反向电流(Ir)：2uA@2V 阻抗(Zzt)：60Ω | 获取价格 | ||
| BZX84C3V6-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：3.6V 稳压值(范围)：3.4V~3.8V 功率：350mW 反向电流(Ir)：5uA@1V 阻抗(Zzt)：90Ω | 获取价格 | ||
| 1N4741A | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：11V 稳压值(范围)：10.45V~11.55V 精度：±5% 功率：1W 反向电流(Ir)：5uA@8.4V 阻抗(Zzt)：8Ω | 获取价格 | ||
| MMSZ4684T1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：3.3V 稳压值(范围)：3.13V~3.47V 功率：500mW 反向电流(Ir)：7.5uA@1.5V | 获取价格 | ||
| BAS70-05-7-F | Diodes Incorporated | 肖特基二极管 一对公共阴极 VR=70V IF=70mA IR=100nA CT=2pF SOT23 | 获取价格 | ||
| MBRD10100CT-13 | Diodes Incorporated | 二极管配置：1对共阴极 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：5A 正向压降(Vf)：790mV@5A 反向电流(Ir)：100uA@100V | 获取价格 | ||
| S1J-E3--61T | Vishay Intertechnology, Inc. | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.1V@1A 反向电流(Ir)：1uA@600V | 获取价格 | ||
| NRVA4004T3G | ON Semiconductor | 直流反向耐压(Vr)：400V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.1V@1A 反向电流(Ir)：10uA@400V | 获取价格 | ||
| MMSD301T1G | ON Semiconductor | 肖特基二极管 Single VR=30V IF=200mA IR=200nA CT=1.5pF SOD123 | 获取价格 | ||
| 1N5408 | Changzhou Starsea Electronic Co., Ltd | 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：1.1V@3A 反向电流(Ir)：5uA@1kV | 获取价格 | ||
| 1N5408 | MDD辰达半导体 | 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：1.2V@3A 反向电流(Ir)：5uA@1kV | 获取价格 | ||
| SM15C | MDD辰达半导体 | Bi PD=350W VRWM=15V VBR=16.7V VC=38V IPP=10A IR=1uA CJ=68PF | 获取价格 |
