找到“IR21091SPbF”相关的规格书共8,091个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| BZT52C20-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：20V 稳压值(范围)：18.8V~21.2V 功率：370mW 反向电流(Ir)：100nA@14V 阻抗(Zzt)：55Ω | 获取价格 | ||
| BZT52C47-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：47V 稳压值(范围)：44V~50V 功率：370mW 反向电流(Ir)：100nA@35V 阻抗(Zzt)：100Ω | 获取价格 | ||
| BZT52C36-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：36V 稳压值(范围)：34V~38V 功率：370mW 反向电流(Ir)：100nA@52.2V 阻抗(Zzt)：90Ω | 获取价格 | ||
| BZT52C43-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：43V 稳压值(范围)：40V~46V 功率：370mW 反向电流(Ir)：100nA@32V 阻抗(Zzt)：100Ω | 获取价格 | ||
| BZT52C2V4-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：2.4V 稳压值(范围)：2.2V~2.6V 功率：370mW 反向电流(Ir)：50uA@1V 阻抗(Zzt)：100Ω | 获取价格 | ||
| BZT52C15-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：15V 稳压值(范围)：13.8V~15.6V 功率：370mW 反向电流(Ir)：100nA@10.5V 阻抗(Zzt)：30Ω | 获取价格 | ||
| BAV170-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：1对共阴极 直流反向耐压(Vr)：85V 平均整流电流(Io)：215mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：5nA@75V | 获取价格 | ||
| RS1GB-13-F | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：400V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.3V@1A 反向电流(Ir)：5uA@400V 反向恢复时间(trr)：150ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| RS1M-13-F | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.3V@1A 反向电流(Ir)：5uA@1kV 反向恢复时间(trr)：500ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| ES2AA-13-F | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：50V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：920mV@2A 反向电流(Ir)：5uA@50V 反向恢复时间(trr)：25ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| ES1J | ON Semiconductor | 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.7V@1A 反向电流(Ir)：5uA@600V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| 1SMA5941BT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：47V 稳压值(范围)：44.65V~49.35V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：500nA@35.8V 阻抗(Zzt)：67Ω | 获取价格 | ||
| 1SMA5925BT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：10V 稳压值(范围)：9.5V~10.5V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：2.5uA@8V 阻抗(Zzt)：4.5Ω | 获取价格 | ||
| 1SMA5922BT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：7.5V 稳压值(范围)：7.12V~7.88V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：2.5uA@6V 阻抗(Zzt)：3Ω | 获取价格 | ||
| 1SMA5919BT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：5.6V 稳压值(范围)：5.32V~5.88V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：2.5uA@3V 阻抗(Zzt)：2Ω | 获取价格 | ||
| MMSZ5256BT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：30V 稳压值(范围)：28.5V~31.5V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：100nA@23V 阻抗(Zzt)：49Ω | 获取价格 | ||
| MMSZ5245BT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：15V 稳压值(范围)：14.25V~15.75V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：100nA@11V 阻抗(Zzt)：16Ω | 获取价格 | ||
| DB157S--Tube | MDD辰达半导体 | 直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):1.5A;正向压降(Vf):1.1V@1.5A;反向电流(Ir):10uA@1kV;正向浪涌电流(Ifsm):50A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| LB6S | MDD辰达半导体 | 直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):800mA;正向压降(Vf):1V@400mA;反向电流(Ir):5uA@600V;正向浪涌电流(Ifsm):30A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KBJ608 | MDD辰达半导体 | 直流反向耐压(Vr):800V;平均整流电流(Io):6A;正向压降(Vf):1V@3A;反向电流(Ir):10uA@800V;正向浪涌电流(Ifsm):170A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 |
