找到“IR21091SPbF”相关的规格书共8,091个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| P6KE75CA/B | Brightking | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):64.1V;击穿电压:71.3V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:5.9A;最大钳位电压:103V; | 获取价格 | ||
| P6KE250CA/B | Brightking | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):214V;击穿电压:237V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:1.8A;最大钳位电压:344V; | 获取价格 | ||
| P6KE68A | Createk Microelectronics | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):58.1V;击穿电压:64.6V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:6.5A;最大钳位电压:92V; | 获取价格 | ||
| P6KE110CA | Createk Microelectronics | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):94V;击穿电压:105V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:3.9A;最大钳位电压:152V; | 获取价格 | ||
| SAC45/B | Brightking | 极性:-;反向截止电压(Vrwm):45V;击穿电压:50V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:6.8A;最大钳位电压:77V; | 获取价格 | ||
| B1D10065KF | Shenzhen BASiC Semiconductor LTD., | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):24A;正向压降(Vf):1.48V@10A;反向电流(Ir):70uA@650V; | 获取价格 | ||
| DBL155S | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):1.5A;正向压降(Vf):1V@700mA;反向电流(Ir):5uA@600V;正向浪涌电流(Ifsm):60A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HDL8S | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 直流反向耐压(Vr):800V;平均整流电流(Io):800mA;正向压降(Vf):1V@400mA;反向电流(Ir):5uA@800V;正向浪涌电流(Ifsm):30A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HBR20100-220HF | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):780mV@10A;反向电流(Ir):10uA@100V; | 获取价格 | ||
| HBR10150-220HF | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):150V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):890mV@10A;反向电流(Ir):10uA@150V; | 获取价格 | ||
| HBR10200-220HF | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):920mV@10A;反向电流(Ir):10uA@200V; | 获取价格 | ||
| BAT 64-04 E6433 | Infineon Technologies | 二极管配置:1对串联式;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):250mA;正向压降(Vf):570mV@100mA;反向电流(Ir):2uA@30V; | 获取价格 | ||
| BAT 15-02ELS E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):4V;平均整流电流(Io):110mA;正向压降(Vf):350mV@10mA;反向电流(Ir):5uA@1V; | 获取价格 | ||
| BAS 70-07 E6433 | Infineon Technologies | 二极管配置:2个独立式;直流反向耐压(Vr):70V;平均整流电流(Io):70mA;正向压降(Vf):880mV@15mA;反向电流(Ir):100nA@50V; | 获取价格 | ||
| BAS 40-07W H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:2个独立式;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):120mA;正向压降(Vf):720mV@40A;反向电流(Ir):1uA@30V; | 获取价格 | ||
| BAT 54-05W H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):30V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):800mV@100mA;反向电流(Ir):2uA@25V; | 获取价格 | ||
| AIDK10S65C5 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):1.5V@10A;反向电流(Ir):2uA@650V; | 获取价格 | ||
| IDK03G65C5 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):1.5V@3A;反向电流(Ir):150nA@650V; | 获取价格 | ||
| IDDD04G65C6 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):13A;正向压降(Vf):1.25V@4A;反向电流(Ir):400nA@420V; | 获取价格 | ||
| BAS 70-02V H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):70V;平均整流电流(Io):70mA;正向压降(Vf):880mV@15mA;反向电流(Ir):100nA@50V; | 获取价格 |
