找到“MAX6668”相关的规格书共6,949个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| 4N30SM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Optocoupler, Darlington, 4.17Kv, Smdip-6; No. Of Channels:1 Channel; Optocoupler Case Style:surface Mount Dip; No. Of Pins:6Pins; Forward Current If Max:80Ma; Isolation Voltage:4.17Kv; Ctr Min:100%; Product Range:- Rohs Compliant: Yes | 获取价格 | ||
| R3005250L | PDI[PREMIERDEVICES,INC.] | R3005250L - Si Reverse, low current, 5 - 300MHz, 25.0dB typ. Gain @ 300MHz, 140mA max. @ 24VDC - PREMIER DEVICES, INC. | 获取价格 | ||
| SMBJ20CA | ElecSuper | 最大耗散功率（W） 600 最大抵消电压（V） 20 最大反向电流（uA） 1 崩溃电压Min（V） 22.2 崩溃电压Max（V） 24.5 测试电流（mA） 1 最大脉冲电流（A） 18.6 最大嵌位电压（V） 32.4 | 获取价格 | ||
| SMBJ8.5CA | ElecSuper | 最大耗散功率（W） 600 最大抵消电压（V） 8.5 最大反向电流（uA） 20 崩溃电压Min（V） 9.44 崩溃电压Max（V） 10.4 测试电流（mA） 1 最大脉冲电流（A） 41.7 最大嵌位电压（V） 14.4 | 获取价格 | ||
| SMBJ13CA | ElecSuper | 最大耗散功率（W） 600 最大抵消电压（V） 13 最大反向电流（uA） 1 崩溃电压Min（V） 14.4 崩溃电压Max（V） 15.9 测试电流（mA） 1 最大脉冲电流（A） 28 最大嵌位电压（V） 21.5 | 获取价格 | ||
| SMBJ6.0A | ElecSuper | 最大耗散功率（W） 600 最大抵消电压（V） 6 最大反向电流（uA） 800 崩溃电压Min（V） 6.67 崩溃电压Max（V） 7.37 测试电流（mA） 10 最大脉冲电流（A） 58.3 最大嵌位电压（V） 10.3 | 获取价格 | ||
| SMCJ26CA | ElecSuper | 最大耗散功率（W） 1500 最大抵消电压（V） 26 最大反向电流（uA） 1 崩溃电压Min（V） 28.9 崩溃电压Max（V） 31.9 测试电流（mA） 1 最大脉冲电流（A） 35.7 最大嵌位电压（V） 42.1 | 获取价格 | ||
| SMCJ33CA | ElecSuper | 最大耗散功率（W） 1500 最大抵消电压（V） 33 最大反向电流（uA） 1 崩溃电压Min（V） 36.7 崩溃电压Max（V） 40.6 测试电流（mA） 1 最大脉冲电流（A） 28.2 最大嵌位电压（V） 53.3 | 获取价格 | ||
| BSS138P | Mason semiconductor | Mosfet,n Channel,60V,0.36A,sot23; Channel Type:n Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:360Ma; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1.2V Rohs Compliant: Yes | 获取价格 | ||
| IPP015N04N G | Infineon Technologies | Mosfet, N Channel, 40V, 120A, To-220-3; Channel Type:n Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:120A; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Msl:- Rohs Compliant: Yes | 获取价格 | ||
| KL851S1-TU | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比50~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压350V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间5us，工作温度-55~+110℃，SMD4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），S1TU-铜线 | 获取价格 | ||
| KL851 | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比50~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压350V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间5us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），直脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL817-D | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比300~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），直脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL817M-C | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比200~400%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），M脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL817M-B | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比130~260%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），M脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL817S1-A-TU-F | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比80~160%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，SMD4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），S1TU-铁线 | 获取价格 | ||
| KL817-D-F | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比300~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），直脚-铁线 | 获取价格 | ||
| KL817-B-F | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比130~260%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），直脚-铁线 | 获取价格 | ||
| KL817S1-D-TU | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比300~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，SMD4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），S1TU-铜线 | 获取价格 | ||
| KL817S1-A-TU | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比80~160%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，SMD4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），S1TU-铜线 | 获取价格 |
