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| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
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| 74VHC123AM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 74Vhc Cmos, Smd, 74Vhc123, Soic16; Logic Family / Base Number:74Vhc123; Multivibrator Type:retriggerable Monostable; Output Current:8Ma; Supply Voltage Min:2V; Supply Voltage Max:5.5V; Logic Case Style:soic; No. Of Pins:16Pins; Rohs Compliant: Yes | 获取价格 | ||
| CPC1718J | Littelfuse Inc. | Mosfet Relay, Spst-No, 32A, 100V, Tht; Contact Form:spst-No (1 Form A); Load Type:dc; Load Voltage Max:100V; Load Current:32A; Mosfet Relay Package Style:isoplus-264; Relay Mounting:through Hole; Relay Terminals:pc Pin Rohs Compliant: Yes | 获取价格 | ||
| KL817-B | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比130~260%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），直脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL817M-A | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比80~160%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），M脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL817M-D | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比300~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），M脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL817-C | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比200~400%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），直脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL817M-D-F | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比300~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），M脚-铁线 | 获取价格 | ||
| KL8171S1-TU | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比100~350%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压70V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率170mW，工作温度-30~+100℃，SMD4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），S1TU-铜线 | 获取价格 | ||
| KL816-A | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比80~160%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），直脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL816-B | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比130~260%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），直脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL816M-B | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比130~260%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），M脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL816-C | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比200~400%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），直脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL816M-A | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比80~160%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），M脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL357-D-TA | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比300~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压3750V，总消耗功率200mW，上升时间3us，下降时间4us，工作温度-55~+110℃，SOP4（尺寸4.4x4.0x2.0mm），TA-铜线 | 获取价格 | ||
| KL357-C-TA | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比200~400%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压3750V，总消耗功率200mW，上升时间3us，下降时间4us，工作温度-55~+110℃，SOP4（尺寸4.4x4.0x2.0mm），TA-铜线 | 获取价格 | ||
| KL354N-B-TA | Kinglight | 晶体管光耦（AC)，电流传输比80~300%，正/反向电压1.2V,正/反向电流20uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压3750V，总消耗功率200mW，工作温度-55~+100℃，SOP4（尺寸4.4x4.0x2.0mm），TA-铜线 | 获取价格 | ||
| KL3082 | Kinglight | 可控硅光耦，触发电流10MA，正向电压1.5V,反向电流10uA，Min断态输出端电压：800V，Max断态峰值电流500nA，抑制电压20V，隔离电压5000V，总消耗功率300mW，工作温度-55~+100℃，DIP6（尺寸7.1x6.48x3.5mm），直脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL3082S1-TA | Kinglight | 可控硅光耦，触发电流10MA，正向电压1.5V,反向电流10uA，Min断态输出端电压：800V，Max断态峰值电流500nA，抑制电压20V，隔离电压5000V，总消耗功率300mW，工作温度-55~+100℃，SMD6（尺寸7.1x6.48x3.5mm），S1TA-铜线 | 获取价格 | ||
| KL3083M | Kinglight | 可控硅光耦，触发电流5MA，正向电压1.5V,反向电流10uA，Min断态输出端电压：800V，Max断态峰值电流500nA，抑制电压20V，隔离电压5000V，总消耗功率300mW，工作温度-55~+100℃，DIP6（尺寸7.1x6.48x3.5mm），M脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL3082M | Kinglight | 可控硅光耦，触发电流10MA，正向电压1.5V,反向电流10uA，Min断态输出端电压：800V，Max断态峰值电流500nA，抑制电压20V，隔离电压5000V，总消耗功率300mW，工作温度-55~+100℃，DIP6（尺寸7.1x6.48x3.5mm），M脚-铜线 | 获取价格 |
