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| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| SMBJ6.0A | ElecSuper | 最大耗散功率（W） 600 最大抵消电压（V） 6 最大反向电流（uA） 800 崩溃电压Min（V） 6.67 崩溃电压Max（V） 7.37 测试电流（mA） 10 最大脉冲电流（A） 58.3 最大嵌位电压（V） 10.3 | 获取价格 | ||
| SMCJ26CA | ElecSuper | 最大耗散功率（W） 1500 最大抵消电压（V） 26 最大反向电流（uA） 1 崩溃电压Min（V） 28.9 崩溃电压Max（V） 31.9 测试电流（mA） 1 最大脉冲电流（A） 35.7 最大嵌位电压（V） 42.1 | 获取价格 | ||
| SMCJ33CA | ElecSuper | 最大耗散功率（W） 1500 最大抵消电压（V） 33 最大反向电流（uA） 1 崩溃电压Min（V） 36.7 崩溃电压Max（V） 40.6 测试电流（mA） 1 最大脉冲电流（A） 28.2 最大嵌位电压（V） 53.3 | 获取价格 | ||
| BSS138P | Mason semiconductor | Mosfet,n Channel,60V,0.36A,sot23; Channel Type:n Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:360Ma; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1.2V Rohs Compliant: Yes | 获取价格 | ||
| IPP015N04N G | Infineon Technologies | Mosfet, N Channel, 40V, 120A, To-220-3; Channel Type:n Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:120A; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Msl:- Rohs Compliant: Yes | 获取价格 | ||
| KL851S1-TU | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比50~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压350V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间5us，工作温度-55~+110℃，SMD4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），S1TU-铜线 | 获取价格 | ||
| KL851 | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比50~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压350V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间5us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），直脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL817-D | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比300~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），直脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL817M-C | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比200~400%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），M脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL817M-B | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比130~260%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），M脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL817S1-A-TU-F | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比80~160%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，SMD4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），S1TU-铁线 | 获取价格 | ||
| KL817-D-F | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比300~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），直脚-铁线 | 获取价格 | ||
| KL817-B-F | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比130~260%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），直脚-铁线 | 获取价格 | ||
| KL817S1-D-TU | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比300~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，SMD4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），S1TU-铜线 | 获取价格 | ||
| KL817S1-A-TU | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比80~160%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，SMD4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），S1TU-铜线 | 获取价格 | ||
| KL3081 | Kinglight | 可控硅光耦，触发电流15MA，正向电压1.5V,反向电流10uA，Min断态输出端电压：800V，Max断态峰值电流500nA，抑制电压20V，隔离电压5000V，总消耗功率300mW，工作温度-55~+100℃，DIP6（尺寸7.1x6.48x3.5mm），直脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL3083S1-TA | Kinglight | 可控硅光耦，触发电流5MA，正向电压1.5V,反向电流10uA，Min断态输出端电压：800V，Max断态峰值电流500nA，抑制电压20V，隔离电压5000V，总消耗功率300mW，工作温度-55~+100℃，SMD6（尺寸7.1x6.48x3.5mm），S1TA-铜线 | 获取价格 | ||
| KL3063 | Kinglight | 可控硅光耦，触发电流5MA，正向电压1.5V,反向电流10uA，Min断态输出端电压：600V，Max断态峰值电流500nA，抑制电压20V，隔离电压5000V，总消耗功率300mW，工作温度-55~+100℃，DIP6（尺寸7.1x6.48x3.5mm），直脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL3061S1-TA | Kinglight | 可控硅光耦，触发电流15MA，正向电压1.5V,反向电流10uA，Min断态输出端电压：600V，Max断态峰值电流500nA，抑制电压20V，隔离电压5000V，总消耗功率300mW，工作温度-55~+100℃，SMD6（尺寸7.1x6.48x3.5mm），S1TA-铜线 | 获取价格 | ||
| KL3063S1-TA | Kinglight | 可控硅光耦，触发电流5MA，正向电压1.5V,反向电流10uA，Min断态输出端电压：600V，Max断态峰值电流500nA，抑制电压20V，隔离电压5000V，总消耗功率300mW，工作温度-55~+100℃，SMD6（尺寸7.1x6.48x3.5mm），S1TA-铜线 | 获取价格 |
