找到“PLA03151NA0D2”相关的规格书共4,929个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
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| 74AXP1G32GXH | Rubycon Corporation | 逻辑电路的归属系列:74AXP;逻辑类型:或门;通道数:1;电源电压:700mV~2.75V;静态电流(最大值):600nA;灌电流(IOL):8mA;拉电流(IOH):8mA;最大传播延迟:2.7ns@2.5V,5pF; | 获取价格 | ||
| BAS45A,113 | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;功率:300mW;直流反向耐压(Vr):125V;平均整流电流(Io):250mA;正向压降(Vf):1V@100mA;反向电流(Ir):1nA@125V;反向恢复时间(trr):1.5us;工作温度:+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAW56S,135 | Rubycon Corporation | 二极管配置:2对共阳极;功率:350mW;直流反向耐压(Vr):90V;平均整流电流(Io):250mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):500nA@80V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 74AXP1T32GXZ | Rubycon Corporation | 逻辑电路的归属系列:74AXP;逻辑类型:或门;通道数:1;电源电压:700mV~2.75V;静态电流(最大值):500nA;灌电流(IOL):12mA;拉电流(IOH):12mA;最大传播延迟:6.5ns@2.5V,50pF; | 获取价格 | ||
| BAS21GWX | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;功率:380mW;直流反向耐压(Vr):250V;平均整流电流(Io):225mA;正向压降(Vf):1.25V@200mA;反向电流(Ir):100nA@200V;反向恢复时间(trr):50ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 1N4531,143 | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;功率:500mW;直流反向耐压(Vr):75V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1V@10mA;反向电流(Ir):100nA@50V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+200℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ABP2MRNT001BG2A3XX | Honeywell Sensing and Productivity Solutions | Pressure Sensor, 1Bar, Gauge, Barbed; Operating Pressure Max:1Bar; Sensor Output:i2C Digital; Pressure Measurement Type:gauge; Voltage Rating:3.3Vdc; Port Style:single Radial Barbed; Supply Current:33.8Na; Product Range:abp2 Series Rohs Compliant: Yes | 获取价格 | ||
| 2SB1123S-TD-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,1mA;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FZT649 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@3A,300mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1A,2V;特征频率(fT):-;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PDTD114ETR | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):460mW;集电极电流(Ic):-;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):100nA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V; | 获取价格 | ||
| S9015 | YFW | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@100mA,10mA;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| TCBAV21W | T&C Technology | 二极管配置:独立式;功率:400mW;直流反向耐压(Vr):250V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1.25V@200mA;反向电流(Ir):100nA@200V;反向恢复时间(trr):50ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 1SS400 | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;功率:150mW;直流反向耐压(Vr):80V;平均整流电流(Io):100mA;正向压降(Vf):1.2V@100mA;反向电流(Ir):100nA@80V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAV20W | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;功率:500mW;直流反向耐压(Vr):150V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1.25V@200mA;反向电流(Ir):100nA@150V;反向恢复时间(trr):50ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SB1424 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@2A,100mA;特征频率(fT):240MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| A94 | HL | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA;特征频率(fT):50MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KL851M | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比50~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压350V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间5us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），M脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL817S1-D-TU-F | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比300~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，SMD4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），S1TU-铁线 | 获取价格 | ||
| KL817S1-B-TU-F | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比130~260%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，SMD4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），S1TU-铁线 | 获取价格 | ||
| KL817M-C-F | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比200~400%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），M脚-铁线 | 获取价格 |
