找到“PLA03151NA0D2”相关的规格书共4,929个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| BCR 142 E6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:NPN-预偏置;功率(Pd):200mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):100nA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):70@5mA,5V; | 获取价格 | ||
| BB 535 E7904 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;最大反向耐压(Vr):30V;反向电流(Ir):10nA@30V;二极管电容(CT):2.1pF@28V,1MHz;电容比:8.9@C1V/C28V;串联电阻(Rs):580mΩ;工作温度:-55℃~+150℃@(Ta); | 获取价格 | ||
| BBY 55-03W E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;最大反向耐压(Vr):16V;反向电流(Ir):3nA@15V;二极管电容(CT):6pF@10V,1MHz;电容比:2.5@C2V/C10V;串联电阻(Rs):150mΩ;工作温度:-55℃~+150℃@(Ta); | 获取价格 | ||
| BBY 57-02V H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;最大反向耐压(Vr):10V;反向电流(Ir):10nA@8V;二极管电容(CT):4.7pF@4V,1MHz;电容比:3.7@C1V/C4V;串联电阻(Rs):350mΩ;工作温度:-55℃~+125℃@(Ta); | 获取价格 | ||
| BCR 146 E6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:NPN-预偏置;功率(Pd):200mW;集电极电流(Ic):70mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):100nA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):50@5mA,5V; | 获取价格 | ||
| BAR 81W H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;功率:100mW;直流反向耐压(Vr):30V;平均整流电流(Io):100mA;正向压降(Vf):1V@100mA;反向电流(Ir):20nA@20V;反向恢复时间(trr):80ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BFR 740EL3 E6829 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):4V;集电极电流(Ic):40mA;功率(Pd):160mW;集电极截止电流(Icbo):40nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):210@25mA,3V;特征频率(fT):42GHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAS21LLYL | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;功率:335mW;直流反向耐压(Vr):250V;平均整流电流(Io):330mA;正向压降(Vf):1.25V@200mA;反向电流(Ir):100nA@200V;反向恢复时间(trr):50ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAV70SRAZ | Rubycon Corporation | 二极管配置:2对共阴极;功率:610mW;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):335mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):500nA@80V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 74AXP1T14GXH | Rubycon Corporation | 逻辑电路的归属系列:74AXP;输入类型:-;通道数:1;电源电压:700mV~2.75V;电源电流(最大值):500nA;灌电流(IOL):8mA;拉电流(IOH):8mA;最大传播延迟(tpd):7ns@2.5V,50pF; | 获取价格 | ||
| 74AUP2G32GXX | Rubycon Corporation | 逻辑电路的归属系列:74AUP;逻辑类型:或门;通道数:2;电源电压:800mV~3.6V;静态电流(最大值):500nA;灌电流(IOL):4mA;拉电流(IOH):4mA;最大传播延迟:6.4ns@3.3V,30pF; | 获取价格 | ||
| BAS521,315 | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;功率:500mW;直流反向耐压(Vr):300V;平均整流电流(Io):250mA;正向压降(Vf):1V@100mA;反向电流(Ir):30nA@250V;反向恢复时间(trr):16ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 74AUP2G08DC,125 | Rubycon Corporation | 逻辑电路的归属系列:74AUP;逻辑类型:与门;通道数:2;电源电压:800mV~3.6V;静态电流(最大值):500nA;灌电流(IOL):4mA;拉电流(IOH):4mA;最大传播延迟:6.2ns@3.3V,30pF; | 获取价格 | ||
| PUMD12,115 | Rubycon Corporation | +150℃@(Tj) 100@5mA,5V 100mV@5mA,0.25mA 10kΩ 4.7 180MHz 300mW 0.7V@100uA,5V 100mA 0.8V@1mA,0.3V 50V 100nA 1 NPN - Pre-Biased,1 PNP - Pre-Biased SOT-363 Digital Transistors ROHS | 获取价格 | ||
| PUMD20,115 | Rubycon Corporation | +150℃@(Tj) 30@20mA,5V 2.2kΩ 150mV@10mA,0.5mA 1 300mW 1.6V@20mA,0.3V 100mA 1.2V@1mA,5V 50V 100nA 1 NPN - Pre-Biased,1 PNP - Pre-Biased SOT-363 Digital Transistors ROHS | 获取价格 | ||
| 2SB1132 | YONGYUTAI | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):32V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):50nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@500mA,50mA;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PDTA143XT,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个PNP-预偏置;功率(Pd):250mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):100nA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):50@10mA,5V; | 获取价格 | ||
| MMBTA42 | YONGYUTAI | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):350mW;集电极截止电流(Icbo):80nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@30mA,3mA;特征频率(fT):50MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 1SS387 | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;功率:150mW;直流反向耐压(Vr):80V;平均整流电流(Io):100mA;正向压降(Vf):1.2V@100mA;反向电流(Ir):500nA@80V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BBY 56-02V H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;最大反向耐压(Vr):10V;反向电流(Ir):5nA@6V;二极管电容(CT):12.1pF@4V,1MHz;电容比:3.3@C1V/C4V;串联电阻(Rs):250mΩ;工作温度:-55℃~+150℃@(Ta); | 获取价格 |
