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序号器件名产品描述数据手册生厂商
13613C5R6K5.6 µH 无屏蔽 电感器 300 mA 1.1 欧姆最大 1812(4532 公制)下载TE Connectivity Ltd
23TJ411059ZYLBC频率:11.0592MHz;频率公差:±10ppm;负载电容:20pF;下载JYJE
33TJ426298ZYFBC频率:26.2982MHz;频率公差:±10ppm;负载电容:20pF;下载JYJE
43TJ454000JYFBC频率:54MHz;频率公差:±10ppm;负载电容:10pF;下载JYJE
53402类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):65mΩ@10V,4A;阈...下载Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd.
6331040SG0ABLA02连接器类型:牛角扣;每排PIN数:20;排数:2;间距:2.54mm;行距:2.54mm;封装形式:直插;触头材质:黄铜;触头镀层:金;下载Jinling Electronic Connector Co., Ltd.
73EZ9.1_R2_00001SILICON ZENER DIODE下载PANJIT SEMI CONDUCTOR
83EZ12_R2_00001SILICON ZENER DIODE下载PANJIT SEMI CONDUCTOR
93EZ6.8_R2_00001SILICON ZENER DIODE下载PANJIT SEMI CONDUCTOR
103EZ15_R2_00001SILICON ZENER DIODE下载PANJIT SEMI CONDUCTOR
113EZ18_R2_00001SILICON ZENER DIODE下载PANJIT SEMI CONDUCTOR
123EZ28_R2_00001SILICON ZENER DIODE下载PANJIT SEMI CONDUCTOR
133DD4244DM晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):30W;集电极截止电流(Icbo):5μA;集电极-发射极饱和电压...下载Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd.
143DD13003B晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):900mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发...下载Rubycon Corporation
153DD13002B晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):800mA;功率(Pd):900mW;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-...下载Rubycon Corporation
1636503605SRF 屏蔽 框架 X 2.362"(60.00mm) 通孔下载Wurth Electronics Inc.
173851110WE-CSGS CONTACT SPRING GASKET下载Wurth Electronics Inc.
1838401303WE-EGS EMI ELASTOMER GASKET下载Wurth Electronics Inc.
193671520RF 屏蔽 盖 1.075"(27.30mm) X 2.071"(52.60mm) 非通风 表面贴装型下载Wurth Electronics Inc.
203671473RF 屏蔽 盖 0.941"(23.90mm) X 1.886"(47.90mm) 非通风 表面贴装型下载Wurth Electronics Inc.