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序号器件名产品描述数据手册生厂商
13430H2F36KTDF36 kOhms ±1% 2W 芯片电阻 宽 2010(5025 公制),1020 汽车级AEC-Q200 厚膜下载TE Connectivity Ltd
23430H2F39KTDF39 kOhms ±1% 2W 芯片电阻 宽 2010(5025 公制),1020 汽车级AEC-Q200 厚膜下载TE Connectivity Ltd
33430H2F75RTDF75 Ohms ±1% 2W 芯片电阻 宽 2010(5025 公制),1020 汽车级AEC-Q200 厚膜下载TE Connectivity Ltd
43430H2F1K0TDF1 kOhms ±1% 2W 芯片电阻 宽 2010(5025 公制),1020 汽车级AEC-Q200 厚膜下载TE Connectivity Ltd
53430H2F100RTDF100 Ohms ±1% 2W 芯片电阻 宽 2010(5025 公制),1020 汽车级AEC-Q200 厚膜下载TE Connectivity Ltd
63S000000-3L-4F下载Foxconn Optical Interconnect Technologies, Inc.
7348241164下载Molex Incorporated
83RL150M-5-S下载Brightking
93TJ424000XYFBC频率:24MHz;频率公差:±10ppm;负载电容:18pF;下载JYJE
103TJ416000XYGBC频率:16MHz;频率公差:±10ppm;负载电容:18pF;下载JYJE
113TJ424000JYFBC频率:24MHz;频率公差:±10ppm;负载电容:10pF;下载JYJE
123TJ430000NYFBC频率:30MHz;频率公差:±10ppm;负载电容:12pF;下载JYJE
133TJ410000ZYLBC频率:10MHz;频率公差:±10ppm;负载电容:20pF;下载JYJE
143S24000333频率:24MHz;频率公差:±10ppm;负载电容:8pF;下载YL
153407类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):4.1A;功率(Pd):1.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):48mΩ@10V,4....下载Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd.
163EZ22_R2_00001SILICON ZENER DIODE下载PANJIT SEMI CONDUCTOR
173EZ20_R2_00001SILICON ZENER DIODE下载PANJIT SEMI CONDUCTOR
183EZ24_R2_00001SILICON ZENER DIODE下载PANJIT SEMI CONDUCTOR
193EZ30_R2_00001SILICON ZENER DIODE下载PANJIT SEMI CONDUCTOR
203EZ43_R2_00001SILICON ZENER DIODE下载PANJIT SEMI CONDUCTOR