| 1 | MD7601B40 | 10uA静态功耗,40V耐压,1A电流输出,高瞬态 | 下载 | Shanghai Mingda Microelectronics Co., Ltd. |
| 2 | MJ11016G | 类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):30A;功率(Pd):200W;集电极截止电流(Icbo@Vcb):1mA;集电极-发射极饱... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 3 | MJD340T4G | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 4 | MJD210T4G | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):1.4W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):45@2A,1V; | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 5 | MJD200G | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):1.4W; | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 6 | MJD32C | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):15W; | 下载 | Rubycon Corporation |
| 7 | ME60N03 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):48.5A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,3... | 下载 | MATSUKI |
| 8 | MPBH103J3A0701 | | 下载 | KYET |
| 9 | MMBT4401LT1G | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):300mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@15... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 10 | MMBT2222ALT1G | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):225mW; | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 11 | MMBT2907A | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):225mW; | 下载 | Rubycon Corporation |
| 12 | MMBT2907ALT1G | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):300mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@15... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 13 | MMBTA06LT3G | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 14 | MMBT489LT1G | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):710mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 15 | MMBT6521LT1G | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):300@2m... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 16 | MMBT5087LT1G | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):50mA;功率(Pd):300mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@100... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 17 | MMBT5550LT1G | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):140V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):225mW; | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 18 | MCR100G-8-AD-AE3-R编带 | 单向可控硅 | 下载 | Unisonic Technology Co., Ltd. |
| 19 | MMBFJ175LT1G | FET类型:-;栅源击穿电压(V(BR)GSS):-;饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源导通电阻(RDS(on)):-;功率(Pd):-; | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 20 | MMBF4391LT1G | FET类型:-;栅源击穿电压(V(BR)GSS):-;饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源导通电阻(RDS(on)):-;功率(Pd):-; | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
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