找到“SDP520WMF”相关的规格书共2,879个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| B82141A1822K000 | TDK Corporation | 类型:色环电感;电感值:8.2uH;精度:±10%;额定电流:450mA;饱和电流(Isat):-;直流电阻(DCR):520mΩ;Q值:50@7.96MHz;自谐频率:30MHz;车规等级:-; | 获取价格 | ||
| FDPF12N50NZ | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):11.5A;功率(Pd):42W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):520mΩ@10V,5.75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA; | 获取价格 | ||
| LZ7-04M2PD-0000 | ams-OSRAM AG | LED 照明 - 彩色 LZ7 琥珀色，蓝色，蓝绿色，绿色，黄绿色，红色 590nm 琥珀色，451nm 蓝色，500nm 蓝绿色，520nm 绿色，623nm 红色 2828（7070 公制） | 获取价格 | ||
| BC850C,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):520@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| P4200SB-MS | Mason semiconductor | 反向截止电压(Vdrm):400V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):520V;维持电流(Ih):100mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):80A;断态电容(Co):36pF; | 获取价格 | ||
| P4200SC-MS | Mason semiconductor | 反向截止电压(Vdrm):400V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):520V;维持电流(Ih):100mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):100A;断态电容(Co):45pF; | 获取价格 | ||
| NCE0202ZA | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):3W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):520mΩ@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):12nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):580pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):3pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC 848C E6433 | Infineon Technologies | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):330mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):520@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC858CLT3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):650mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):520@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC 847C E6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):330mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):520@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BUK7Y25-40B,115 | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):35.3A;功率(Pd):59.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@1mA;栅极电荷(Qg@Vgs):12.1nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):520pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):83pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC 859C E6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):330mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):520@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC 850CW H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):520@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC847CDXV6T1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:2个NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):520@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HB840U(CHA) | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):520V;连续漏极电流(Id):8A;功率(Pd):135W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):750mΩ@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):25nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):20pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC 857C E6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):330mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):520@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC 849CW H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):520@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 30A02MH-TL-H | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):700mA;功率(Pd):600mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):110mV@200mA,10mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@10mA,2V;特征频率(fT):520MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC857CLT3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):650mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):520@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 |
