找到“UGN3140UA”相关的规格书共5,828个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| HP640 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):18A;功率(Pd):104W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,9A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| HF12N60 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):51W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):650mΩ@10V,6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| HB3710P | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):70A;功率(Pd):200W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,35A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| IDK08G120C5 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1.2kV;平均整流电流(Io):22.8A;正向压降(Vf):1.65V@8A;反向电流(Ir):3uA@1.2kV; | 获取价格 | ||
| BSZ12DN20NS3 G | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):11.3A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):125mΩ@10V,5.7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@25uA; | 获取价格 | ||
| IDM08G120C5 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1.2kV;平均整流电流(Io):27A;正向压降(Vf):1.65V@8A;反向电流(Ir):3uA@1.2kV; | 获取价格 | ||
| BSD214SN H6327 | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):1.5A;功率(Pd):500mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):140mΩ@4.5V,1.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@3.7uA; | 获取价格 | ||
| BSC037N08NS5T | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):3W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.3mΩ@6V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.8V@72uA; | 获取价格 | ||
| BAS 140W E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):120mA;正向压降(Vf):720mV@40mA;反向电流(Ir):1uA@30V; | 获取价格 | ||
| BSC079N10NS G | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):13.4A;功率(Pd):156W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.9mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@110uA; | 获取价格 | ||
| BSZ130N03MS G | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):9A;功率(Pd):2.1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11.5mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA; | 获取价格 | ||
| BAT 15-02EL E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):4V;平均整流电流(Io):110mA;正向压降(Vf):350mV@10mA;反向电流(Ir):5uA@1V; | 获取价格 | ||
| BAS 40-04 E6433 | Infineon Technologies | 二极管配置:1对串联式;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):120mA;正向压降(Vf):720mV@40A;反向电流(Ir):1uA@30V; | 获取价格 | ||
| IDK02G120C5 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1.2kV;平均整流电流(Io):11.8A;正向压降(Vf):1.4V@2A;反向电流(Ir):1.2uA@1.2kV; | 获取价格 | ||
| BAT 15-099 E6433 | Infineon Technologies | 二极管配置:2个独立式;直流反向耐压(Vr):4V;平均整流电流(Io):110mA;正向压降(Vf):350mV@10mA;反向电流(Ir):5uA@1V; | 获取价格 | ||
| BSC042N03LSG | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):2.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.2mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA; | 获取价格 | ||
| IDH08G120C5 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1.2kV;平均整流电流(Io):22.8A;正向压降(Vf):1.65V@8A;反向电流(Ir):3uA@1.2kV; | 获取价格 | ||
| IDDD20G65C6 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):51A;正向压降(Vf):1.25V@20A;反向电流(Ir):2uA@420V; | 获取价格 | ||
| BAS 52-02V H6433 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):45V;平均整流电流(Io):750mA;正向压降(Vf):500mV@200mA;反向电流(Ir):1uA@10V; | 获取价格 | ||
| BCV28,115 | Rubycon Corporation | 30V 20000@5V,100mA PNP 220MHz 100nA 500mA 1.3W +150℃@(Tj) 1V@100mA,100uA SOT-89-3 Darlington Transistors ROHS | 获取价格 |
