找到“UGN3140UA”相关的规格书共5,828个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| SMBJ12A | ElecSuper | 最大耗散功率（W） 600 最大抵消电压（V） 12 最大反向电流（uA） 1 崩溃电压Min（V） 13.3 崩溃电压Max（V） 14.7 测试电流（mA） 1 最大脉冲电流（A） 30.2 最大嵌位电压（V） 19.9 | 获取价格 | ||
| SMBJ7.0A | ElecSuper | 最大耗散功率（W） 600 最大抵消电压（V） 7 最大反向电流（uA） 200 崩溃电压Min（V） 7.78 崩溃电压Max（V） 8.6 测试电流（mA） 10 最大脉冲电流（A） 50 最大嵌位电压（V） 12 | 获取价格 | ||
| SMBJ33A | ElecSuper | 最大耗散功率（W） 600 最大抵消电压（V） 33 最大反向电流（uA） 1 崩溃电压Min（V） 36.7 崩溃电压Max（V） 40.6 测试电流（mA） 1 最大脉冲电流（A） 11.3 最大嵌位电压（V） 53.3 | 获取价格 | ||
| SMBJ28CA | ElecSuper | 最大耗散功率（W） 600 最大抵消电压（V） 28 最大反向电流（uA） 1 崩溃电压Min（V） 31.1 崩溃电压Max（V） 34.4 测试电流（mA） 1 最大脉冲电流（A） 13.3 最大嵌位电压（V） 45.4 | 获取价格 | ||
| SMBJ45CA | ElecSuper | 最大耗散功率（W） 600 最大抵消电压（V） 45 最大反向电流（uA） 1 崩溃电压Min（V） 50 崩溃电压Max（V） 55.3 测试电流（mA） 1 最大脉冲电流（A） 8.3 最大嵌位电压（V） 72.7 | 获取价格 | ||
| SMBJ7.0CA | ElecSuper | 最大耗散功率（W） 600 最大抵消电压（V） 7 最大反向电流（uA） 200 崩溃电压Min（V） 7.78 崩溃电压Max（V） 8.6 测试电流（mA） 10 最大脉冲电流（A） 50 最大嵌位电压（V） 12 | 获取价格 | ||
| SMBJ33CA | ElecSuper | 最大耗散功率（W） 600 最大抵消电压（V） 33 最大反向电流（uA） 1 崩溃电压Min（V） 36.7 崩溃电压Max（V） 40.6 测试电流（mA） 1 最大脉冲电流（A） 11.3 最大嵌位电压（V） 53.3 | 获取价格 | ||
| SMAJ13CA | ElecSuper | 最大耗散功率（W） 400 最大抵消电压（V） 13 最大反向电流（uA） 1 崩溃电压Min（V） 14.4 崩溃电压Max（V） 15.9 测试电流（mA） 1 最大脉冲电流（A） 18.6 最大嵌位电压（V） 21.5 | 获取价格 | ||
| BSP61,115 | Rubycon Corporation | 60V 2000@10V,500mA PNP 200MHz 50nA 1A 1.25W +150℃@(Tj) 1.3V@500mA,500uA SOT-223-3 Darlington Transistors ROHS | 获取价格 | ||
| F4 | DIYI ELECTRONIC | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.3V@1A;反向电流(Ir):5uA@400V;反向恢复时间(trr):150ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FQT4N20LTF | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):850mA;功率(Pd):2.2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.35Ω@10V,425mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA; | 获取价格 | ||
| HY1906B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):188W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| NCE30H29D | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):290A;功率(Pd):270W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.8mΩ@10V,160A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| HY1607B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):68V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):115W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.8mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| VBJ2658 | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):10.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):65mΩ@4.5V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| 1N65G-AA3-R | Unisonic Technology Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):1.2A;功率(Pd):8W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12.5Ω@10V,600mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| SD103AX | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):350mA;正向压降(Vf):600mV@200mA;反向电流(Ir):5uA@30V; | 获取价格 | ||
| IPB090N06N3 G | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):71W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@34uA; | 获取价格 | ||
| SE80130G | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):130A;功率(Pd):160W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.3mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| VBL1203M | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:-;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):74W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):300mΩ@10V,5.4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 |
