找到“UGN3140UA”相关的规格书共5,828个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
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| US1JL | SMC Diode Solutions | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.7V@1A;反向电流(Ir):5uA@600V;反向恢复时间(trr):75ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SF38 | Chongqing Pingwei Technology (Group) Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):1.7V@3A;反向电流(Ir):5uA@600V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SF34G | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):950mV@3A;反向电流(Ir):1uA@200V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| TL431-A | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 电压基准类型:并联;输出类型:可调;输入电压:37V;输出电压:36V;输出电流:-;精度:-;温度系数:-;静态电流:-;最小阴极电流调节:80uA;噪声(0.1Hz-10Hz):-;噪声(10Hz-10kHz):-;动态阻抗:150mΩ;工作温度:-40℃~+125℃@(Ta); | 获取价格 | ||
| HT03AM-12 | HTCSEMI | 可控硅类型:单向可控硅;断态峰值电压(Vdrm):800V;通态RMS电流(It(rms)):470mA;浪涌电流(Itsm@f):20A@60Hz;门极平均耗散功率(PG(AV)):100mW;通态峰值电压(Vtm):1.8V;门极触发电流(Igt):100uA;门极触发电压(Vgt):800mV;保持电流(Ih):1.5mA;工作温度:-40℃~+110℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| UF104_AY_10001 | PANJIT SEMI CONDUCTOR | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.1V@1A;反向电流(Ir):10uA@400V;反向恢复时间(trr):50ns;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HF1600G | Leshan Radio Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;功率:-;直流反向耐压(Vr):1.2kV;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):3.4V@0.5A;反向电流(Ir):5uA@1.2kV;反向恢复时间(trr):75ns;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FR207GR | Chongqing Pingwei Technology (Group) Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1.3V@2A;反向电流(Ir):5uA@1kV;反向恢复时间(trr):500ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| LM385Z-1.2G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 电压基准类型:并联;输出类型:固定;输入电压:-;输出电压:1.235V;输出电流:20mA;精度:-2.4%~+2.01%;温度系数:80ppm/℃;静态电流:-;最小阴极电流调节:20uA;噪声(0.1Hz-10Hz):-;噪声(10Hz-10kHz):60uVrms;工作温度:0℃~+70℃@(Ta); | 获取价格 | ||
| PDTC123JU,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):200mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):1uA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,10V; | 获取价格 | ||
| BAW56W | Rubycon Corporation | 二极管配置:1对共阳极;功率:200mW;直流反向耐压(Vr):75V;平均整流电流(Io):150mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):2.5uA@75V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| LR7536-M | LORY Semiconductor | 输出类型:固定;输出极性:正;输出通道数:1;最大输入电压:24V;输出电压:3.6V;静态电流(地电流):1.5uA;输出电流:100mA;电源纹波抑制比(PSRR):55dB@1kHz;噪声:-;工作温度:-10℃~85℃; | 获取价格 | ||
| KL851S1-TU | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比50~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压350V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间5us，工作温度-55~+110℃，SMD4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），S1TU-铜线 | 获取价格 | ||
| KL851 | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比50~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压350V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间5us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），直脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL817-D | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比300~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），直脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL817M-C | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比200~400%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），M脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL817M-B | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比130~260%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），M脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL817S1-A-TU-F | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比80~160%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，SMD4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），S1TU-铁线 | 获取价格 | ||
| KL817-D-F | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比300~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），直脚-铁线 | 获取价格 | ||
| KL817-B-F | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比130~260%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），直脚-铁线 | 获取价格 |
