找到“UGN3140UA”相关的规格书共5,828个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| 30F120W-2472L | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1.2kV;平均整流电流(Io):30A;正向压降(Vf):3V@30A;反向电流(Ir):100uA@1.2kV;反向恢复时间(trr):40ns;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 10F60UHF-220HF2L | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):1.8V@10A;反向电流(Ir):50uA@600V;反向恢复时间(trr):21ns;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 20F40UHF-220HF2L | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):20A;正向压降(Vf):1.7V@20A;反向电流(Ir):50uA@400V;反向恢复时间(trr):34ns;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD13005MD-220 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):75W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):2V@4A,1A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):8@500mA,10V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SA1943 | MINOS | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):230V;集电极电流(Ic):15A;功率(Pd):150W;集电极截止电流(Icbo):5uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):3V@8A,800mA;特征频率(fT):30MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| IDP45E60 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;功率:187W;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):71A;正向压降(Vf):2V@45A;反向电流(Ir):50uA@600V;反向恢复时间(trr):140ns;工作温度:-40℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| IDP20E65D2 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;功率:120W;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):40A;正向压降(Vf):2.2V@20A;反向电流(Ir):40uA@650V;反向恢复时间(trr):43ns;工作温度:-40℃~+175℃@(Tvj); | 获取价格 | ||
| IDP30E60 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;功率:142.9W;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):52.3A;正向压降(Vf):2V@30A;反向电流(Ir):50uA@600V;反向恢复时间(trr):126ns;工作温度:-40℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 74AHCT2G08DC,125 | Rubycon Corporation | 逻辑电路的归属系列:74AHCT;逻辑类型:与门;通道数:2;电源电压:4.5V~5.5V;静态电流(最大值):1uA;灌电流(IOL):8mA;拉电流(IOH):8mA;最大传播延迟:7.9ns@5V,50pF; | 获取价格 | ||
| 74HCT2G08DC,125 | Rubycon Corporation | 逻辑电路的归属系列:74HCT;逻辑类型:与门;通道数:2;电源电压:4.5V~5.5V;静态电流(最大值):20uA;灌电流(IOL):4mA;拉电流(IOH):4mA;最大传播延迟:14ns@4.5V,50pF; | 获取价格 | ||
| 74LVC1G00GX,125 | Rubycon Corporation | 逻辑电路的归属系列:74LVC;逻辑类型:与非门;通道数:1;电源电压:1.65V~5.5V;静态电流(最大值):4uA;灌电流(IOL):32mA;拉电流(IOH):32mA;最大传播延迟:4ns@5V,50pF; | 获取价格 | ||
| 74LV1T00GVH | Rubycon Corporation | 逻辑电路的归属系列:74LV;逻辑类型:与非门;通道数:1;电源电压:1.6V~5.5V;静态电流(最大值):1uA;灌电流(IOL):8mA;拉电流(IOH):8mA;最大传播延迟:4.8ns@5V,30pF; | 获取价格 | ||
| DM6W15A-13 | Diodes Incorporated | 极性:-;反向截止电压(Vrwm):15V;击穿电压(最小值):16.7V;击穿电压(最大值):18.5V;反向漏电流(Ir):10uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:189A;最大钳位电压:24.4V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:4.6kW; | 获取价格 | ||
| DM6W33A-13 | Diodes Incorporated | 极性:-;反向截止电压(Vrwm):33V;击穿电压(最小值):36.7V;击穿电压(最大值):40.6V;反向漏电流(Ir):10uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:86A;最大钳位电压:53.3V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:4.6kW; | 获取价格 | ||
| DM6W13A-13 | Diodes Incorporated | 极性:-;反向截止电压(Vrwm):13V;击穿电压(最小值):14.4V;击穿电压(最大值):15.9V;反向漏电流(Ir):10uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:214A;最大钳位电压:21.5V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:4.6kW; | 获取价格 | ||
| DM6W12A-13 | Diodes Incorporated | 极性:-;反向截止电压(Vrwm):12V;击穿电压(最小值):13.3V;击穿电压(最大值):14.7V;反向漏电流(Ir):10uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:231A;最大钳位电压:19.9V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:4.6kW; | 获取价格 | ||
| DM8W40AQ-13 | Diodes Incorporated | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):40V;击穿电压(最小值):44.4V;击穿电压(最大值):49.1V;反向漏电流(Ir):10uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:102A;最大钳位电压:64.5V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:6.6kW; | 获取价格 | ||
| 1.5CE24CA BK PBFREE | Central | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):20.5V;击穿电压(最小值):22.8V;击穿电压(最大值):25.2V;反向漏电流(Ir):5uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:45A;最大钳位电压:33.2V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:1.5kW; | 获取价格 | ||
| DTA123TET1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:1个PNP-预偏置;功率(Pd):200mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):500nA;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@10mA,300uA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V; | 获取价格 | ||
| 2SC5226A-4-TL-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):10V;集电极电流(Ic):70mA;功率(Pd):150mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;特征频率(fT):7GHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
