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2SA2126-TL-EMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):260mV@2A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,2V;特征频率(fT):390MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
FDMS86550ET60Murata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):245A;功率(Pd):187W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.4mΩ@10V,32A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):90nC@8V;输入电容(Ciss@Vds):8.235nF@30V;反向传输电容(Crss@Vds):70pF@30V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);获取价格
FDMS86252LMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):46mΩ@10V,4.4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):15nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.335nF@75V;反向传输电容(Crss@Vds):3pF@75V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
2SC6094-TD-EMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):3.5W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):90mV@1A,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):300@100mA,2V;特征频率(fT):390MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
BD435GMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):32V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):36W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):85@500mA,1V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
2SB1124S-TD-EMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):190mV@2A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):140@100mA,2V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
FDMS8888Murata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):51A;功率(Pd):42W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V,13.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.9V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):13nC@0~5V;输入电容(Ciss@Vds):1.195nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):161pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
FDMS86181EMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):124A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.3mΩ@10V,44A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.1V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):27nC@6V;输入电容(Ciss@Vds):2.945nF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):20pF@50V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
2SD1624S-TD-HMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):190mV@2A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):140@100mA,2V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
FJA4213RTUMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):250V;集电极电流(Ic):17A;功率(Pd):130W;集电极截止电流(Icbo):5uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@8A,800mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):55@1A,5V;特征频率(fT):30MHz;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj);获取价格
FDME910PZTMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):8A;功率(Pd):2.1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@4.5V,8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):600mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):15nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):1.586nF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):218pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
FQU11P06TUMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):9.4A;功率(Pd):38W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,4.7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):13nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):420pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):45pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
FDMS86105Murata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):26A;功率(Pd):48W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):27mΩ@10V,6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):4.2nC@0~5V;输入电容(Ciss@Vds):483pF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):5pF@50V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
FDB9403L-F085Murata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):110A;功率(Pd):333W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):186nC@0~10V;输入电容(Ciss@Vds):13.5nF@20V;反向传输电容(Crss@Vds):280pF@20V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);获取价格
FDB082N15AMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):117A;功率(Pd):298W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.7mΩ@10V,75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):64.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4.645nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):100pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);获取价格
2SC5706-TL-EMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):160mV@2A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@500mA,2V;特征频率(fT):400MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
FDWS9520L-F085Murata Manufacturing Co., Ltd.类型:2个P沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):12.2A;功率(Pd):3W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10.4mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):13nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):2.37nF@20V;反向传输电容(Crss@Vds):40pF@20V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);获取价格
FCP165N60EMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):23A;功率(Pd):227W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):132mΩ@10V,11.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):59nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.83nF@380V;反向传输电容(Crss@Vds):8.6pF@380V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
2N5401YTAMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):150V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):50uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@10mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
FQA46N15Murata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):250W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):33mΩ@10V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):85nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.5nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):100pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);获取价格