找到“b25671a4826a375”相关的规格书共3,826个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
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| 103-271K | API Delevan Inc. | 固定电感器 Nonstandard, 2 Lead 270nH ±10% 650mA 230mΩ 375MHz 25@25MHz | 获取价格 | ||
| 192670219 | MOLEX4[MolexElectronicsLtd.] | 192670219 - Perma-Fit™ Thin-Wall multi Purpose Heat Shrink Tubing, 9.53mm (.375") InsideDiameterBlack30.48m100.0 - Molex Electronics Ltd. | 获取价格 | ||
| 191210053 | MOLEX4[MolexElectronicsLtd.] | 191210053 - InsulKrimp™ Flanged Spade Tongue Terminal for 10-12 AWG Wire, Stud Size 8, Width9.53mm (.375 - Molex Electronics Ltd. | 获取价格 | ||
| C-217-08XT | MOLEX4[MolexElectronicsLtd.] | C-217-08XT - InsulKrimp™ Flanged Spade Tongue Terminal for 10-12 AWG Wire, Stud Size 8, Width9.53mm (.375"), Mylar Tape Carrier - Molex Electronics Ltd. | 获取价格 | ||
| C-217-06X | MOLEX4[MolexElectronicsLtd.] | C-217-06X - InsulKrimp™ Flanged Spade Tongue Terminal for 10-12 AWG Wire, Stud Size 6, Width9.53mm (.375") - Molex Electronics Ltd. | 获取价格 | ||
| VBL1105 | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):110A;功率(Pd):375W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| T3PS36006 | Teledyne LeCroy | 0 ~ 30VDC，0 ~ 60VDC，0 ~ 30VDC，0 ~ 60VDC，0.1 ~ 5VDC 输出 工作台（AC 至 DC） 电源 LCD 0 ~ 6A，0 ~ 3A，0 ~ 6A，0 ~ 3A，0 ~ 3A 输出 375W 特性 开关 | 获取价格 | ||
| PMG85XPH | Nexperia | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：375mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：115mΩ@4.5V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.15V@250uA | 获取价格 | ||
| TLV70233DBVR | Texas Instruments | 300mA 68dB@（1kHz）375mV@（300mA）固定式Vo=3.3V正极1 Vin=2~5.5V SOT-23-5线性稳压器（LDO）ROHS | 获取价格 | ||
| BUK7S0R9-40HJ | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):375A;功率(Pd):375W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):0.73mΩ@10V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@1mA;栅极电荷(Qg@Vgs):118nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):9.206nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):344pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDB031N08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):75V;连续漏极电流(Id):235A;功率(Pd):375W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.1mΩ@10V,75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| VBL1603 | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):210A;功率(Pd):375W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@4.5V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| 0466.375NRHF | Littelfuse Inc. | 标称电压降：169.18mV 熔断 I²t：0.0045 分断能力：50A 产品：贴片式保险丝 标称冷电阻：351mΩ 保险丝类型：快速熔断 额定电流：375mA | 获取价格 | ||
| NJVMJD31CT4G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.2V@3A,375mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):10@3A,4V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MJD31CG | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.2V@3A,375mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):10@3A,4V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MJD31T4G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.2V@3A,375mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):10@3A,4V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| WL2820D28-4/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 低噪声，高PSRR，高速度，CMOS LDO 300mA 70dB@(217Hz),60dB@(10kHz) 375mV@(300mA) Fixed 2.8V~2.8V Positive 1 5.5V X2-SON-4-EP(1x1) | 获取价格 | ||
| FGH75T65SQDT-F155 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | IGBT类型:沟槽场截止;功率(Pd):375W;集射极击穿电压(Vces):650V;集电极电流(Ic):150A;集电极脉冲电流(Icm):300A;栅极阈值电压(Vge(th)@Ic):-;输入电容(Cies@Vce):-;导通损耗(Eon):0.3mJ;关断损耗(Eoff):0.07mJ;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| TIP31CG | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):40W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.2V@3A,375mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):10@3A,4V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MJD31C | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):20μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.2V@3A,375mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@3A,4V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
