找到“ft5526eez”相关的规格书共9,154个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| BCX 52-16 H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):2W;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@150mA,2V;特征频率(fT):125MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCP 56-10 H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):2W;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCV62,235 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:2个PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC55-10PA,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):420mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V;特征频率(fT):180MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2PA1774RM,315 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):430mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@1mA,6V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCV61B,235 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:2个NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 1700--50 | Minnesota Mining and Manufacturing | Ribbon Cable, 50Way, 30.5M, 28Awg, 50V; Cable Shielding:unscreened; No. Of Cores:50Core; Wire Gauge:28Awg; Conductor Area Csa:-; Reel Length (Imperial):100Ft; Reel Length (Metric):30.48M; Jacket Colour:multi-Coloured; Cable Rohs Compliant: Yes | 获取价格 | ||
| 2SB1123S-TD-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,1mA;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2N6036G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transistor, Pnp, -80V, -4A, To-225; Transistor Polarity:pnp; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:80V; Transition Frequency Ft:-; Power Dissipation Pd:1.5W; Dc Collector Current:4A; Dc Current Gain Hfe:100Hfe; Transistor Case Rohs Compliant: Yes | 获取价格 | ||
| BD682STU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):14W;集电极截止电流(Icbo):200μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):2.5V@1.5A,30mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):750@1.5A,3V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FZT649 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@3A,300mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1A,2V;特征频率(fT):-;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BDX54CG | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Darlington Transistor, To-220; Transistor Polarity:pnp; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:100V; Transition Frequency Ft:-; Power Dissipation Pd:65W; Dc Collector Current:8A; Dc Current Gain Hfe:750Hfe; Transistor Case Style:to-220; Rohs Compliant: Yes | 获取价格 | ||
| FJPF13009H1TU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):12A;功率(Pd):50W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):3V@12A,3A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):6@8A,5V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NJVMJD31CT4G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.2V@3A,375mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):10@3A,4V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MJD31CG | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.2V@3A,375mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):10@3A,4V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MJD45H11G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):8A;功率(Pd):1.75W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@8A,400mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@4A,1V;特征频率(fT):90MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MJD41CT4G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):6A;功率(Pd):1.75W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.5V@6A,600mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@3A,4V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KTA1042D-Y-RTF--P | KEC CORPORATION | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):20W;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):2V@4A,400mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):70@1A,5V;特征频率(fT):30MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SD2098 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):500nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@4A,100mA;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SD1628G-TD-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@3A,60mA;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
