找到“ir2110”相关的规格书共8,217个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| SME2470-021 | Honeywell Sensing and Productivity Solutions | Infrared (IR) Emitter 880nm 1.5V 75mA 0.6mW/cm² @ 50mA 2-SMD, No Lead | 获取价格 | ||
| VSMB2943RGX01 | Vishay Intertechnology, Inc. | Infrared (IR) Emitter 940nm 1.35V 100mA 20mW/sr @ 100mA 50° 2-SMD, Z-Bend | 获取价格 | ||
| CQY37N | Vishay Intertechnology, Inc. | Infrared (IR) Emitter 950nm 1.3V 100mA 2.2mW/sr @ 50mA 24° Radial, 1.8mm (T-3/4) | 获取价格 | ||
| VSMB2000X01 | Vishay Intertechnology, Inc. | Infrared (IR) Emitter 940nm 1.35V 100mA 20mW/sr @ 100mA 24° 2-SMD, Z-Bend | 获取价格 | ||
| VSMB2943SLX01 | Vishay Intertechnology, Inc. | Infrared (IR) Emitter 940nm 1.35V 100mA 20mW/sr @ 100mA 50° 2-SMD, Gull Wing | 获取价格 | ||
| BZB784-C6V8,115 | Nexperia | 二极管配置：1对共阳极 稳压值(范围)：6.4V~7.2V 精度：±5% 功率：350mW 反向电流(Ir)：2uA@4V 阻抗(Zzt)：15Ω | 获取价格 | ||
| BZB784-C12,115 | Nexperia | 二极管配置：1对共阳极 稳压值(范围)：11.4V~12.7V 精度：±5% 功率：350mW 反向电流(Ir)：100nA@8V 阻抗(Zzt)：25Ω | 获取价格 | ||
| DDZ7V5C-7 | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 稳压值(范围)：7.29V~7.67V 功率：470mW 反向电流(Ir)：500nA@6V 阻抗(Zzt)：6Ω | 获取价格 | ||
| 1N4733ATR | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：5.1V 稳压值(范围)：4.845V~5.355V 精度：±5% 功率：1W 反向电流(Ir)：10uA@1V 阻抗(Zzt)：7Ω | 获取价格 | ||
| MBRB20200CTG | ON Semiconductor | 二极管配置：1对共阴极 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：10A 正向压降(Vf)：1V@20A 反向电流(Ir)：1mA@200V | 获取价格 | ||
| BAS40-04-TP | Micro Commercial Components | 肖特基二极管 一对串联 VR=40V IF=200mA IR=10nA CT=5pF SOT23 | 获取价格 | ||
| S3M-13-F | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：1.15V@3A 反向电流(Ir)：10uA@1kV | 获取价格 | ||
| S5J-E3--57T | Vishay Intertechnology, Inc. | 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：5A 正向压降(Vf)：1.15V@5A 反向电流(Ir)：10uA@600V | 获取价格 | ||
| S1G-E3--61T | Vishay Intertechnology, Inc. | 直流反向耐压(Vr)：400V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.1V@1A 反向电流(Ir)：1uA@400V | 获取价格 | ||
| 1N4007-E3--54 | Vishay Intertechnology, Inc. | 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.1V@1A 反向电流(Ir)：5uA@1kV 1000V,1A,VF=1.1V@1A | 获取价格 | ||
| S3KC | Jingdao | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：800V 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：1.1V@3A 反向电流(Ir)：5μA@800V | 获取价格 | ||
| 1N4743A | ST(先科) | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：13V 精度：±5% 功率：1W 反向电流(Ir)：5uA@9.9V 阻抗(Zzt)：10Ω 13V 1W | 获取价格 | ||
| ESD5Z5V0 | MDD辰达半导体 | Uni PD=174W VRWM=5V VBR=6.2V VC=18.6V IPP=9.4A IR=0.08uA CJ=80PF | 获取价格 | ||
| S1A | Jingdao | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：50V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.1V@1A 反向电流(Ir)：5μA@50V | 获取价格 | ||
| ES3CC | Jingdao | 快/超快恢复二极管 VRRM=150V IF=3A IFSM=90A VF=1V IR=5μA Cj=40pF Trr=35ns | 获取价格 |
