找到“ir7843”相关的规格书共7,864个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| S3MC | Jingdao | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：1V@3A 反向电流(Ir)：5μA@1kV 1000V 3A | 获取价格 | ||
| ESD3B5CM | MDD辰达半导体 | Bi PD=400W VRWM=5V VBR=5.8V VC=20V IPP=25A IR=1uA CJ=30PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| 1N4448W | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：250mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：25nA@20V | 获取价格 | ||
| 1N4007WS | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：300V 平均整流电流(Io)：300mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：25nA@20V | 获取价格 | ||
| SMAJ75A | Jingdao | 极性：单向 反向截止电压(Vrwm)：75V 击穿电压(最小值)：83.3V 击穿电压(最大值)：92.1V 反向漏电流(Ir)：1μA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs：3.3A 最大钳位电压：121V | 获取价格 | ||
| SM05OC | MDD辰达半导体 | Bi PD=130W VRWM=5V VBR=5.6V VC=16V IPP=8A IR=1uA CJ=15PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| ESD0502T5L | MDD辰达半导体 | Bi PD=60W VRWM=5V VBR=6V VC=15V IPP=4A IR=0.1uA CJ=0.5PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| 1N5819WS | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：350mA 正向压降(Vf)：600mV@200mA 反向电流(Ir)：5uA@30V | 获取价格 | ||
| ES1B_R1_00001 | PANJIT SEMI CONDUCTOR | 正向压降(Vf)：950mV 1A 直流反向耐压(Vr)：100V 工作温度(最大值)：+150℃ (Tj) 平均整流电流(Io)：1A 反向电流(Ir)：1μA 100V 反向恢复时间(trr)：35ns | 获取价格 | ||
| FR1M_R1_00001 | PANJIT SEMI CONDUCTOR | 正向压降(Vf)：1.3V 1A 直流反向耐压(Vr)：1kV 工作温度(最大值)：+150℃ (Tj) 平均整流电流(Io)：1A 反向电流(Ir)：1μA 1kV 反向恢复时间(trr)：500ns | 获取价格 | ||
| US1M | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.7V@1A 反向电流(Ir)：5uA@1kV 反向恢复时间(trr)：75ns | 获取价格 | ||
| RS2M | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：1.3V 2A 反向电流(Ir)：5μA 1kV 反向恢复时间(trr)：500ns | 获取价格 | ||
| 1N4002W | Jingdao | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.1V@1A 反向电流(Ir)：5uA@100V 100V,1A,VF=1.1V@1A | 获取价格 | ||
| BZT52C2V7 | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：2.7V 稳压值(范围)：2.5V~2.9V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：120uA@1V 阻抗(Zzt)：110Ω | 获取价格 | ||
| 1N4148WS | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 功率：350mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| BAS716F | Nexperia | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：85V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：1.1V@50mA 反向电流(Ir)：5nA@75V | 获取价格 | ||
| BZT52C22S-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：22V 稳压值(范围)：20.8V~23.3V 功率：200mW 反向电流(Ir)：100nA@15.4V 阻抗(Zzt)：55Ω | 获取价格 | ||
| BZT52C11Q-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：11V 稳压值(范围)：10.4V~11.6V 功率：370mW 反向电流(Ir)：100nA@8V 阻抗(Zzt)：20Ω | 获取价格 | ||
| US1M | Yenji Electronics co.,Ltd | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.7V@1A 反向电流(Ir)：5uA@1kV 反向恢复时间(trr)：75ns | 获取价格 | ||
| MMBZ5223BS-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：2个独立式 稳压值(标称值)：2.7V 稳压值(范围)：2.57V~2.84V 功率：200mW 反向电流(Ir)：75uA@1V 阻抗(Zzt)：30Ω | 获取价格 |
