找到“ir7843”相关的规格书共7,864个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| P6KE27CA | MDD辰达半导体 | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):-;击穿电压(最小值):-;击穿电压(最大值):-;反向漏电流(Ir):-;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:-;最大钳位电压:-;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:-; | 获取价格 | ||
| P6KE33A/B | Brightking | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):28.2V;击穿电压:31.4V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:13.3A;最大钳位电压:45.7V; | 获取价格 | ||
| P6KE68A/B | Brightking | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):58.1V;击穿电压:64.6V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:6.6A;最大钳位电压:92V; | 获取价格 | ||
| P6KE75CA | Createk Microelectronics | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):64.1V;击穿电压:71.3V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:5.8A;最大钳位电压:103V; | 获取价格 | ||
| SAC50/B | Brightking | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):50V;击穿电压:55.5V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:5.8A;最大钳位电压:88V; | 获取价格 | ||
| P6KE22CA | SEMBO ELECTRONICS | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):18.8V;击穿电压:20.9V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:20A;最大钳位电压:30.6V; | 获取价格 | ||
| CI06S65C3 | Guangzhou Tokmas Electronics Co., LTD | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):19A;正向压降(Vf):1.5V@6A;反向电流(Ir):8uA@650V; | 获取价格 | ||
| B1D20120H | Shenzhen BASiC Semiconductor LTD., | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1.2kV;平均整流电流(Io):70A;正向压降(Vf):1.46V@20A;反向电流(Ir):6.75uA@1.2kV; | 获取价格 | ||
| FR103 | Goodwork Semiconductor Co.,Ltd. | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.3V@1A;反向电流(Ir):-;反向恢复时间(trr):150ns; | 获取价格 | ||
| FR107(60*58) | DIYI ELECTRONIC | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.3V@1A;反向电流(Ir):5μA@1kV;反向恢复时间(trr):500ns;工作温度:-55℃~+125℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BZT52C15W | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：15V 稳压值(范围)：13.8V~15.6V 功率：500mW 反向电流(Ir)：100nA@10.5V 阻抗(Zzt)：30Ω WJ(WJ表示丝印) | 获取价格 | ||
| D15JA60A | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):3.2A;正向压降(Vf):1V@7.5A;反向电流(Ir):5uA@600V;正向浪涌电流(Ifsm):240A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| D4JB80 | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 直流反向耐压(Vr):800V;平均整流电流(Io):4A;正向压降(Vf):1V@2A;反向电流(Ir):5uA@800V;正向浪涌电流(Ifsm):135A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| IDL10G65C5 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):1.5V@10A;反向电流(Ir):500nA@650V; | 获取价格 | ||
| BAR 64-05W H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):150V;平均整流电流(Io):100mA;正向压降(Vf):950mV@100mA;反向电流(Ir):20nA@20V; | 获取价格 | ||
| IDK08G120C5 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1.2kV;平均整流电流(Io):22.8A;正向压降(Vf):1.65V@8A;反向电流(Ir):3uA@1.2kV; | 获取价格 | ||
| IDH06G65C5 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):6A;正向压降(Vf):1.5V@6A;反向电流(Ir):300nA@650V; | 获取价格 | ||
| BAS 70-07 E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:2个独立式;直流反向耐压(Vr):70V;平均整流电流(Io):70mA;正向压降(Vf):880mV@15mA;反向电流(Ir):100nA@50V; | 获取价格 | ||
| BAR 63-04 E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:1对串联式;直流反向耐压(Vr):50V;平均整流电流(Io):100mA;正向压降(Vf):950mV@100mA;反向电流(Ir):10nA@35V; | 获取价格 | ||
| IDM08G120C5 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1.2kV;平均整流电流(Io):27A;正向压降(Vf):1.65V@8A;反向电流(Ir):3uA@1.2kV; | 获取价格 |
