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| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
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| FCH060N80-F155 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。 | 获取价格 | ||
| FCH170N60 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SuperFET II MOSFET 适用于各种 AC/DC 电源转换，实现系统小型化和更高能效。 | 获取价格 | ||
| FCH041N65EFL4 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。SuperFET II FRFET MOSFET 优化的体二极管逆向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。 | 获取价格 | ||
| FAN7392N | Murata Manufacturing Co., Ltd. | FAN7392 是一款单片高压和低压侧门极驱动集成电路，可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲电流驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 提供最高 VS = -9.8V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。逻辑输入可兼容标准 CMOS 或 LSTTL 输出，且可低至 3.3V 逻辑。当 VCC 和 | 获取价格 | ||
| FCMT360N65S3 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SUPERFET III MOSFET 非常适用于开关电源应用，如服务器/电信电源、适配器和太阳能反相器应用。Power88 封装是一款超薄表面贴装封装（高 1mm），体积和占地面积都很小 (8 * 8 mm2)。Power88 封装内的 SUP | 获取价格 | ||
| FAN7083MX-GF085 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | FAN7083_GF085 是带重置输入的高压侧门极驱动集成电路。它适用于最高在 600V 下运行的 MOSFET 或 IGBT 的高压和高速驱动。安森美半导体的高压工艺和共模干扰抑制技术为高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰环境下提供稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -5 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容。当 VCC 和 VBS 低于指定阈值电压时，UVLO 电路可防止发生故障。其采用节省空间的 SOIC-8 封装。输出驱动器 | 获取价格 |
