找到“mv8733”相关的规格书共6,076个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
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| PMST3904,115 | Nexperia | SOT323晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：50nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V | 获取价格 | ||
| MUR1620CTG | ON Semiconductor | 二极管配置：1对共阴极 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：8A 正向压降(Vf)：975mV@8A 反向电流(Ir)：5uA@200V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度：-65℃~+175℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| MUR120RLG | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：875mV@1A 反向电流(Ir)：2uA@200V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度：-65℃~+175℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| SF54G | MDD辰达半导体 | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):950mV@5A;反向电流(Ir):10uA@200V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ES2D | DIYI ELECTRONIC | Fast Diode, 2A, 200V, Do-214Aa; Repetitive Peak Reverse Voltage:200V; Average Forward Current:2A; Diode Configuration:single; Forward Voltage Max:900Mv; Reverse Recovery Time:20Ns; Forward Surge Current:50A; No. Of Pins:2 Pin Rohs Compliant: Yes | 获取价格 | ||
| BC807-16W | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):700mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BDP 954 H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):5W;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):85@500mA,1V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BFN 18 H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):1.5W;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@20mA,2mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):25@1mA,10V;特征频率(fT):70MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 74AXP1T14GXH | Rubycon Corporation | 逻辑电路的归属系列:74AXP;输入类型:-;通道数:1;电源电压:700mV~2.75V;电源电流(最大值):500nA;灌电流(IOL):8mA;拉电流(IOH):8mA;最大传播延迟(tpd):7ns@2.5V,50pF; | 获取价格 | ||
| 74AUP2G32GXX | Rubycon Corporation | 逻辑电路的归属系列:74AUP;逻辑类型:或门;通道数:2;电源电压:800mV~3.6V;静态电流(最大值):500nA;灌电流(IOL):4mA;拉电流(IOH):4mA;最大传播延迟:6.4ns@3.3V,30pF; | 获取价格 | ||
| BCM847DS,135 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:2个NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):380mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 74AUP2G08DC,125 | Rubycon Corporation | 逻辑电路的归属系列:74AUP;逻辑类型:与门;通道数:2;电源电压:800mV~3.6V;静态电流(最大值):500nA;灌电流(IOL):4mA;拉电流(IOH):4mA;最大传播延迟:6.2ns@3.3V,30pF; | 获取价格 | ||
| 2SC4027S-TL-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@500mA,50mA;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HMHA281R4 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.3V;反向电压:6V;输出电流:50mA;接收端电压:80V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):400mV@2.4mA,8mA;隔离电压(rms):3.75kV; | 获取价格 | ||
| FDS4465 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Mosfet, P Ch, -20V, -13.5A, Soic; Transistor Polarity:p Channel; Continuous Drain Current Id:-13.5A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(On):0.0067Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-600Mv; Power Rohs Compliant: Yes | 获取价格 | ||
| CNY171SM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.15V;反向电压:6V;输出电流:50mA;接收端电压:70V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):400mV@2.5mA,10mA;隔离电压(rms):4.17kV; | 获取价格 | ||
| FDZ1905PZ | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:双P沟道(共漏);漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):1.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):700mV@250mA;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| CNY172SM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.15V;反向电压:6V;输出电流:50mA;接收端电压:70V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):400mV@2.5mA,10mA;隔离电压(rms):4.17kV; | 获取价格 | ||
| H11AG1VM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.25V;反向电压:6V;输出电流:50mA;接收端电压:30V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):400mV@0.5mA,2mA;隔离电压(rms):4.17kV; | 获取价格 | ||
| H11AG1SM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.25V;反向电压:6V;输出电流:50mA;接收端电压:30V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):400mV@0.5mA,2mA;隔离电压(rms):4.17kV; | 获取价格 |
