找到“ob2112vp”相关的规格书共1,334个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| ECEC1VP822BJ | PANASONIC[PanasonicSemiconductor] | ECEC1VP822BJ - Snap-in Type - Panasonic Semiconductor | 获取价格 | ||
| ECEC1VP682CJ | PANASONIC[PanasonicSemiconductor] | ECEC1VP682CJ - Snap-in Type - Panasonic Semiconductor | 获取价格 | ||
| ECEC1VP562BJ | PANASONIC[PanasonicSemiconductor] | ECEC1VP562BJ - Snap-in Type - Panasonic Semiconductor | 获取价格 | ||
| ECEC1VP183EJ | PANASONIC[PanasonicSemiconductor] | ECEC1VP183EJ - Snap-in Type - Panasonic Semiconductor | 获取价格 | ||
| ECEC1VP123CJ | PANASONIC[PanasonicSemiconductor] | ECEC1VP123CJ - Snap-in Type - Panasonic Semiconductor | 获取价格 | ||
| ECEC1VP103CJ | PANASONIC[PanasonicSemiconductor] | ECEC1VP103CJ - Snap-in Type - Panasonic Semiconductor | 获取价格 | ||
| 7004C-00-OB-23 | BOURNS[BournsElectronicSolutions] | 7004C-00-OB-23 - Network Interface Device - Bourns Electronic Solutions | 获取价格 | ||
| AX20NV4G821TAI101 | Axia Memory Technology Co.,Ltd | Axia Memory Technology的AX20NV1Gx是一款3.0V 1 Gbit NAND闪存,组织为2112字节×64页×1024个块。所有读取和程序操作均使用2112字节寄存器执行;允许以 2112 字节为增量将数据传入和传出内存阵列。擦除操作在单个块单元中实现(2112 字节× 64 页)。ECC 是提高数据可靠性所必需的。 | 获取价格 | ||
| AX20NV4G821BAI101 | Axia Memory Technology Co.,Ltd | Axia Memory Technology的AX20NV1Gx是一款3.0V 1 Gbit NAND闪存,组织为2112字节×64页×1024个块。所有读取和程序操作均使用2112字节寄存器执行;允许以 2112 字节为增量将数据传入和传出内存阵列。擦除操作在单个块单元中实现(2112 字节× 64 页)。ECC 是提高数据可靠性所必需的。 | 获取价格 | ||
| AX20NV2G811TAI101 | Axia Memory Technology Co.,Ltd | Axia Memory Technology的AX20NV1Gx是一款3.0V 1 Gbit NAND闪存,组织为2112字节×64页×1024个块。所有读取和程序操作均使用2112字节寄存器执行;允许以 2112 字节为增量将数据传入和传出内存阵列。擦除操作在单个块单元中实现(2112 字节× 64 页)。ECC 是提高数据可靠性所必需的。 | 获取价格 | ||
| AX20NV2G811BAI101 | Axia Memory Technology Co.,Ltd | Axia Memory Technology的AX20NV1Gx是一款3.0V 1 Gbit NAND闪存,组织为2112字节×64页×1024个块。所有读取和程序操作均使用2112字节寄存器执行;允许以 2112 字节为增量将数据传入和传出内存阵列。擦除操作在单个块单元中实现(2112 字节× 64 页)。ECC 是提高数据可靠性所必需的。 | 获取价格 | ||
| AX20NV1G811BAI101 | Axia Memory Technology Co.,Ltd | Axia Memory Technology的AX20NV1Gx是一款3.0V 1 Gbit NAND闪存,组织为2112字节×64页×1024个块。所有读取和程序操作均使用2112字节寄存器执行;允许以 2112 字节为增量将数据传入和传出内存阵列。擦除操作在单个块单元中实现(2112 字节× 64 页)。ECC 是提高数据可靠性所必需的。 | 获取价格 | ||
| MI-PC2VP-MV | VICOR[VicorCorporation] | MI-PC2VP-MV - Military DC-DC Power Supplies - Vicor Corporation | 获取价格 | ||
| CY3764VP44200AXC | CYPRESS[CypressSemiconductor] | CY3764VP44200AXC - 5V, 3.3V, ISR High-Performance CPLDs - Cypress Semiconductor | 获取价格 | ||
| CY3764VP44167AXC | CYPRESS[CypressSemiconductor] | CY3764VP44167AXC - 5V, 3.3V, ISR High-Performance CPLDs - Cypress Semiconductor | 获取价格 | ||
| CY3764VP256200AXC | CYPRESS[CypressSemiconductor] | CY3764VP256200AXC - 5V, 3.3V, ISR High-Performance CPLDs - Cypress Semiconductor | 获取价格 | ||
| CY3764VP256167AXC | CYPRESS[CypressSemiconductor] | CY3764VP256167AXC - 5V, 3.3V, ISR High-Performance CPLDs - Cypress Semiconductor | 获取价格 | ||
| CY3764VP160200AXC | CYPRESS[CypressSemiconductor] | CY3764VP160200AXC - 5V, 3.3V, ISR High-Performance CPLDs - Cypress Semiconductor | 获取价格 | ||
| CY37512VP44200AXC | CYPRESS[CypressSemiconductor] | CY37512VP44200AXC - 5V, 3.3V, ISR High-Performance CPLDs - Cypress Semiconductor | 获取价格 | ||
| CY37512VP256167AXC | CYPRESS[CypressSemiconductor] | CY37512VP256167AXC - 5V, 3.3V, ISR High-Performance CPLDs - Cypress Semiconductor | 获取价格 |






