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HT2301ARTZHTCSEMI类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):3.5A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):64mΩ@4.5V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):700mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):3.3nC@2.5V;输入电容(Ciss@Vds):405pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):55pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
ATM2601PSGAgertech类型:2个P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2.8A;功率(Pd):860mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@4.5V,2.8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):3.3nC@2.5V;输入电容(Ciss@Vds):405pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):55pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格