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型号厂商描述数据手册替代料参考价格
SMBJ7.5CAMDD辰达半导体PD=600W,VRM=7.5V,VBR=8.33~9.21V,VC=12.9V 获取价格
SMAJ90CAMDD辰达半导体PD=400W,VRM=90V,VBR=100~111V,VC=146V 获取价格
SMAJ9.0AMDD辰达半导体PD=400W,VRM=9.0V,VBR=10~11.1V,VC=15.4V 获取价格
SMAJ6.0CAMDD辰达半导体PD=400W,VRM=6.0V,VBR=6.67~7.37V,VC=10.3V 获取价格
SMAJ58CAMDD辰达半导体PD=400W,VRM=58V,VBR=64.4~71.2V,VC=93.6V 获取价格
SMAJ45CAMDD辰达半导体PD=400W,VRM=45V,VBR=50.0~55.3V,VC=72.7V 获取价格
SMAJ40AMDD辰达半导体PD=400W,VRM=40V,VBR=44.4~49.1V,VC=64.5V 获取价格
SMAJ30AMDD辰达半导体PD=400W,VRM=30V,VBR=33.3~36.8V,VC=48.4V 获取价格
SMAJ22CAMDD辰达半导体PD=400W,VRM=22V,VBR=24.4~26.9V,VC=35.5V 获取价格
SMAJ15CAMDD辰达半导体PD=400W,VRM=15V,VBR=16.7~18.5V,VC=24.4V 获取价格
SMAJ10CAMDD辰达半导体PD=400W,VRM=10.0V,VBR=11.1~12.3V,VC=17.0V 获取价格
SMAJ100AMDD辰达半导体PD=400W,VRM=100V,VBR=111~123V,VC=162V 获取价格
ME6119A30PGNajing Micro One Electronics Inc.VIN=18V Vo=3V Io=500mA Pd=500mW获取价格
ME6119C36M5GNajing Micro One Electronics Inc.VIN=18V Vo=3.6V Io=500mA Pd=300mW获取价格
ZM4739AST(先科)硅平面功率齐纳二极管VF=1.2V ±5% IF=200mA Pd=1W获取价格
ZM4749AST(先科)硅平面功率齐纳二极管VF=1.2V ±5% IF=200mA Pd=1W获取价格
ZM4742AST(先科)硅平面功率齐纳二极管VF=1.2V ±5% IF=200mA Pd=1W获取价格
AO3404Guangdong Hottech Co. Ltd.低压MOSFET(N通道)SOT23 VDS=30V PD=1.4W ID=5A获取价格
SI2302Guangdong Hottech Co. Ltd.N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3A 功率(Pd):1W获取价格
SI2301Guangdong Hottech Co. Ltd.P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.3A 功率(Pd):1.25W获取价格