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型号厂商描述数据手册替代料参考价格
SMBJ15CARubycon Corporation极性:双向;反向截止电压(Vrwm):15V;击穿电压:16.7V;反向漏电流(Ir):5uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:24.6A;最大钳位电压:24.4V;获取价格
SMBJ12CAElecSuper最大耗散功率(W) 600 最大抵消电压(V) 12 最大反向电流(uA) 1 崩溃电压Min(V) 13.3 崩溃电压Max(V) 14.7 测试电流(mA) 1 最大脉冲电流(A) 30.2 最大嵌位电压(V) 19.9获取价格
SMBJ5.0AElecSuper最大耗散功率(W) 600 最大抵消电压(V) 5 最大反向电流(uA) 800 崩溃电压Min(V) 6.4 崩溃电压Max(V) 7 测试电流(mA) 10 最大脉冲电流(A) 65.3 最大嵌位电压(V) 9.2获取价格
SMBJ18CAElecSuper最大耗散功率(W) 600 最大抵消电压(V) 18 最大反向电流(uA) 1 崩溃电压Min(V) 20 崩溃电压Max(V) 22.1 测试电流(mA) 1 最大脉冲电流(A) 20.6 最大嵌位电压(V) 29.2获取价格
SMBJ5.0CAElecSuper最大耗散功率(W) 600 最大抵消电压(V) 5 最大反向电流(uA) 800 崩溃电压Min(V) 6.4 崩溃电压Max(V) 7 测试电流(mA) 10 最大脉冲电流(A) 65.3 最大嵌位电压(V) 9.2获取价格
SMBJ15AElecSuper最大耗散功率(W) 600 最大抵消电压(V) 15 最大反向电流(uA) 1 崩溃电压Min(V) 16.7 崩溃电压Max(V) 18.5 测试电流(mA) 1 最大脉冲电流(A) 24.6 最大嵌位电压(V) 24.4获取价格
SMBJ24CAElecSuper最大耗散功率(W) 600 最大抵消电压(V) 24 最大反向电流(uA) 1 崩溃电压Min(V) 26.7 崩溃电压Max(V) 29.5 测试电流(mA) 1 最大脉冲电流(A) 15.5 最大嵌位电压(V) 38.9获取价格
SMAJ58AElecSuper最大耗散功率(W) 400 最大抵消电压(V) 58 最大反向电流(uA) 1 崩溃电压Min(V) 64.4 崩溃电压Max(V) 71.2 测试电流(mA) 1 最大脉冲电流(A) 4.3 最大嵌位电压(V) 93.6获取价格
SMCJ58ARubycon Corporation极性:单向;反向截止电压(Vrwm):58V;击穿电压:64.4V;反向漏电流(Ir):5uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:16A;最大钳位电压:93.6V;获取价格
SMCJ30CAElecSuper最大耗散功率(W) 1500 最大抵消电压(V) 30 最大反向电流(uA) 1 崩溃电压Min(V) 33.3 崩溃电压Max(V) 36.8 测试电流(mA) 1 最大脉冲电流(A) 31 最大嵌位电压(V) 48.4获取价格
74LVC14APW,118Rubycon CorporationSchmitt Trigger 6 6.4ns@3.3V,50pF 74LVC 40uA 24mA 24mA 1.2V~3.6V TSSOP-14 Inverters ROHS获取价格
2N60G-CB-AA3-RUnisonic Technology Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):44W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
HY3215BHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):15mΩ@10V,6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;获取价格
HY4504BHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):250A;功率(Pd):288W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3mΩ@10V,125A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
HY3312BHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):125V;连续漏极电流(Id):130A;功率(Pd):278W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,65A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
ES15N10GElecSuper类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):15A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ@10V,15.0A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.7V@250uA;获取价格
SE80160GSINO-IC类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):160A;功率(Pd):285W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
FHS110N8F5AGuangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):157W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
CRSS046N08NWuxi China Resources Microelectronics Limited类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):189W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.6mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
VBL2309VBsemi Electronics Co. Ltd类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):75A;功率(Pd):250W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;获取价格