找到“3140UA”相关的规格书共5,804个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| RS1J-E3--61T | Vishay Intertechnology, Inc. | 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.3V@1A 反向电流(Ir)：5uA@600V 反向恢复时间(trr)：250ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| ES2G-13-F | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：400V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：1.25V@2A 反向电流(Ir)：5uA@400V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| US1D-13-F | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1V@1A 反向电流(Ir)：5uA@200V 反向恢复时间(trr)：50ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| RS1MB-13-F | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.3V@1A 反向电流(Ir)：5uA@1kV 反向恢复时间(trr)：500ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| US1K-13-F | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：800V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.7V@1A 反向电流(Ir)：5uA@800V 反向恢复时间(trr)：75ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| RS1DB-13-F | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.3V@1A 反向电流(Ir)：5uA@200V 反向恢复时间(trr)：150ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| NTK3134NT1G | ON Semiconductor | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：890mA 功率(Pd)：310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA | 获取价格 | ||
| US1M | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.7V@1A 反向电流(Ir)：5uA@1kV 反向恢复时间(trr)：75ns | 获取价格 | ||
| MURS140T3G | ON Semiconductor | 直流反向耐压(Vr)：400V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：1.25V@1A 反向电流(Ir)：5uA@400V 反向恢复时间(trr)：75ns 工作温度：-65℃~+175℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| 1SMB5930BT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：16V 稳压值(范围)：15.2V~16.8V 精度：±5% 功率：550mW 反向电流(Ir)：1uA@12.2V 阻抗(Zzt)：10Ω | 获取价格 | ||
| MMSZ5239BT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：9.1V 稳压值(范围)：8.65V~9.56V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：3uA@7V 阻抗(Zzt)：10Ω | 获取价格 | ||
| MMSZ5232BT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：5.6V 稳压值(范围)：5.32V~5.88V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：5uA@3V 阻抗(Zzt)：11Ω | 获取价格 | ||
| ST36 | MDD辰达半导体 | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):60V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):500mV@3A;反向电流(Ir):30uA@60V; | 获取价格 | ||
| SMF100A | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):100V;击穿电压:111V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:1.2A;最大钳位电压:162V; | 获取价格 | ||
| P6KE18CA/B | Brightking | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):15.3V;击穿电压:17.1V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:24.2A;最大钳位电压:25.2V; | 获取价格 | ||
| P6KE43A/B | Brightking | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):36.8V;击穿电压:40.9V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:10.3A;最大钳位电压:59.3V; | 获取价格 | ||
| P6KE100A/B | Brightking | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):85.5V;击穿电压:95V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:4.5A;最大钳位电压:137V; | 获取价格 | ||
| P6KE33CA/B | Brightking | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):28.2V;击穿电压:31.4V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:13.3A;最大钳位电压:45.7V; | 获取价格 | ||
| SAC36/B | Brightking | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):36V;击穿电压:40V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:8.6A;最大钳位电压:60V; | 获取价格 | ||
| P6KE16A | SEMBO ELECTRONICS | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):13.6V;击穿电压:15.2V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:27A;最大钳位电压:22.5V; | 获取价格 |
