| G1003B | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | 表面贴装型 N 通道 100 V 3A 3.3W SOT-23-3L | | | 获取价格 |
| G1002L | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | 表面贴装型 N 通道 100 V 2A 1.3W SOT-23-3L | | | 获取价格 |
| GT1003D | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | 表面贴装型 N 通道 100 V 3A 2W SOT-23-3L | | | 获取价格 |
| G7K2N20LLE | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | 表面贴装型 N 通道 200 V 2A（Tc） 1.8W（Tc） SOT-23-6L | | | 获取价格 |
| 18N20F | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | 通孔 N 通道 200 V 18A（Tc） 110W（Tc） TO-220F | | | 获取价格 |
| G60N06T | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | 通孔 N 通道 60 V 50A（Tc） 85W（Tc） TO-220 | | | 获取价格 |
| GT105N10T | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | 通孔 N 通道 100 V 55A（Tc） 74W（Tc） TO-220 | | | 获取价格 |
| G30N04D3 | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | MOSFETs N-沟道 VDS=40V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=8mΩ@15A,4.5V DFN8L_3.15X3.05MM | | | 获取价格 |
| G65P06D5 | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=65A RDS(ON)=13.5mΩ@20A,10V DFN8_5X6MM_EP | | | 获取价格 |
| 6706A | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | 6706A | | | 获取价格 |
| 45P40 | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | 45P40 | | | 获取价格 |
| GT55N06 | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | GT55N06 | | | 获取价格 |
| GT1003A | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | GT1003A | | | 获取价格 |
| G12P10K | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | | | | 获取价格 |
| 2301 | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | . | | | 获取价格 |
| G08N03D2 | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | G08N03D2 | | | 获取价格 |
| G3035 | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | | | | 获取价格 |
| G1NP02ELL | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| G8N03 | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):8A;功率(Pd):1.6W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):13nC@5V;输入电容(Ciss@Vds):900pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):50pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| GT125N10T | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):130A;功率(Pd):192W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.1mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):101.6nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):6.1246nF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):15.1pF@50V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
