| LB10S | MDD辰达半导体 | | | | 获取价格 |
| MDD2300 | MDD辰达半导体 | | | | 获取价格 |
| SMBJ14A-T3 | MDD辰达半导体 | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):14V;击穿电压:15.6V;最大钳位电压:23.2V; | | | 获取价格 |
| SMCJ18A-T3 | MDD辰达半导体 | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):18V;击穿电压:20V;最大钳位电压:29.2V; | | | 获取价格 |
| MDD2306 | MDD辰达半导体 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):1.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@10V,4A; | | | 获取价格 |
| SMBJ10CA-T3 | MDD辰达半导体 | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):10V;击穿电压:11.1V;最大钳位电压:17V; | | | 获取价格 |
| SMBJ170CA-T3 | MDD辰达半导体 | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):170V;击穿电压:189V;最大钳位电压:275V; | | | 获取价格 |
| DB157S--Tube | MDD辰达半导体 | 直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):1.5A;正向压降(Vf):1.1V@1.5A;反向电流(Ir):10uA@1kV;正向浪涌电流(Ifsm):50A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| LB6S | MDD辰达半导体 | 直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):800mA;正向压降(Vf):1V@400mA;反向电流(Ir):5uA@600V;正向浪涌电流(Ifsm):30A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| ES2JB 框架 | MDD辰达半导体 | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1.7V@2A;反向电流(Ir):5μA@600V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| MURD1060D | MDD辰达半导体 | TO-252塑料封装超高速恢复二极管 | | | 获取价格 |
| MBRD20100 | MDD辰达半导体 | TO-252塑料封装肖特基二极管 | | | 获取价格 |
| SS520C | MDD辰达半导体 | 电压:200V 电流:5A | | | 获取价格 |
| BAV20W | MDD辰达半导体 | | | | 获取价格 |
| B5818W | MDD辰达半导体 | | | | 获取价格 |
| SS52 | MDD辰达半导体 | 肖特基二极管 SMA(DO-214AC) | | | 获取价格 |
| BC817-40 | MDD辰达半导体 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):250mW; | | | 获取价格 |
| RMSB20J | MDD辰达半导体 | | | | 获取价格 |
| RMSB20B | MDD辰达半导体 | | | | 获取价格 |
| RMSB20K | MDD辰达半导体 | | | | 获取价格 |
