| SM8S26CA | MDD辰达半导体 | TVS 26V截止 157A峰值脉冲 | | | 获取价格 |
| S3A | MDD辰达半导体 | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):50V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):1.15V@3A;反向电流(Ir):10uA@50V; | | | 获取价格 |
| BZT52C13S-WI | MDD辰达半导体 | 稳压值(标称值):13V;精度:±5%;功率:200mW; | | | 获取价格 |
| TTR5MF | MDD辰达半导体 | 直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):1.1V@5A;反向电流(Ir):5uA@1kV;正向浪涌电流(Ifsm):200A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| TTR4MF | MDD辰达半导体 | | | | 获取价格 |
| ST54B | MDD辰达半导体 | 直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):430mV@5A; | | | 获取价格 |
| SS52C | MDD辰达半导体 | 直流反向耐压（Vr）:20V;平均整流电流（Io）:5A;正向压降（Vf）:550mV @ 5A; | | | 获取价格 |
| SS5200 | MDD辰达半导体 | VR=200V IF=5A VF=0.95V IR=200uA | | | 获取价格 |
| SS23 | MDD辰达半导体 | 30V,2A,VF=0.55V@2A | | | 获取价格 |
| SS12 | MDD辰达半导体 | 肖特基二极管 VR=20V IF=1A VF=0.45V IR=500UA | | | 获取价格 |
| SOD1H5 | MDD辰达半导体 | | | | 获取价格 |
| SM8S36A | MDD辰达半导体 | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):36V;击穿电压:40V;最大钳位电压:58.1V; | | | 获取价格 |
| SM36 | MDD辰达半导体 | | | | 获取价格 |
| RS3JB | MDD辰达半导体 | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):1.3V@3A;反向恢复时间(trr):250ns; | | | 获取价格 |
| RS3MBF | MDD辰达半导体 | 快/超快恢复二极管 VR=1000V IF=3A VF=1.3V IR=5uA trr=500nS | | | 获取价格 |
| RS2MW | MDD辰达半导体 | VR=1000V IF=2A 40pF trr=500ns | | | 获取价格 |
| RS2A | MDD辰达半导体 | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):50V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1.3V@2A;反向电流(Ir):5uA@50V;反向恢复时间(trr):150ns;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| RABS210 | MDD辰达半导体 | | | | 获取价格 |
| MMBZ15VAL | MDD辰达半导体 | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):12V;击穿电压(VBR):15V;钳位电压(Vc)@Ipp:21V; | | | 获取价格 |
| MM1W10 | MDD辰达半导体 | | | | 获取价格 |
