| FS2309 | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):1.6A;功率(Pd):1.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):190mΩ@10V,1.5A; | | | 获取价格 |
| BT131S | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | | | | 获取价格 |
| DFR1G | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.3V@1A;反向恢复时间(trr):150ns; | | | 获取价格 |
| STTH112A | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | | | | 获取价格 |
| B340A | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | | | | 获取价格 |
| MBR0520L | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | 肖特基二极管 单路 VR=20V IF=500mA IR=250μA@20V SOD123 | | | 获取价格 |
| 1N5824 | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | 肖特基二极管 DO201AD IF=5A VRRM=30V VF=550mV | | | 获取价格 |
| MBRS340T3G | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | 肖特基二极管 7.11 x 6.22mm SMT 3A 500mV 80A | | | 获取价格 |
| 1N5408G | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | 正向压降(Vf)：1.1V@3A 平均整流电流(Io)：3A | | | 获取价格 |
| S1MD3 | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | S1MD3 | | | 获取价格 |
| SMBJ15CA | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | SMBJ15CA | | | 获取价格 |
| DSR1M | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | SOD123 | | | 获取价格 |
| RB160SS-40 | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | | | | 获取价格 |
| 79L05 | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | 输出类型:-; | | | 获取价格 |
| BTB16Q-600BW | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | BTB16Q-600BW | | | 获取价格 |
| SF38G | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):-;平均整流电流(Io):-;正向压降(Vf):-;反向电流(Ir):-;反向恢复时间(trr):-; | | | 获取价格 |
| SMBJ6.8CA | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | | | | 获取价格 |
| MBRA340T3G | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | 肖特基二极管 SMA(DO-214AC) 3A 40V | | | 获取价格 |
| FS3407 | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):4.1A;功率(Pd):1.67W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):48mΩ@10V,4.1A; | | | 获取价格 |
| S9012 | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;特征频率(fT):-; | | | 获取价格 |
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