| HD30N03 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):1.8W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):19mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | | | 获取价格 |
| HF13N50 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):13A;功率(Pd):48W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):480mΩ@10V,6.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| HF10N60 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):9.5A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):800mΩ@10V,4.75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | | | 获取价格 |
| HDF1060N | HL | | | | 获取价格 |
| HP15N10 | HL | | | | 获取价格 |
| 2N5551 C | HL | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):150@10mA,5V;特征频率(fT):80MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HU4N65 | HL | | | | 获取价格 |
| HP100N03 | HL | | | | 获取价格 |
| HU60N03 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@10V,30A; | | | 获取价格 |
| HF16N50 | HL | | | | 获取价格 |
| HD50N06(BAF) | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):120W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):40nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.6nF@20V;反向传输电容(Crss@Vds):90pF@20V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HP8N60 | HL | | | | 获取价格 |
| HL20N04 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):38W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):20nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):840pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):60pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HF10N80 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):65W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):800mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):83nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.979nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):53pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
