| BZX84C2V4-V | KEC[KEC(KoreaElectronics)] | BZX84C2V4-V - SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE - KEC(Korea Electronics) | | | 获取价格 |
| BZX84C2V2-V | KEC[KEC(KoreaElectronics)] | BZX84C2V2-V - SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE - KEC(Korea Electronics) | | | 获取价格 |
| KTC3551T-RTK--PW | KEC CORPORATION | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):900mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,2V; | | | 获取价格 |
| KTB764-Y-AT--P | KEC CORPORATION | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;特征频率(fT):-; | | | 获取价格 |
| KIA79L05BP-AT--P | KEC CORPORATION | 输出类型:固定;输出极性:负;最大输入电压:35V;输出电压:5V;输出电流:150mA; | | | 获取价格 |
| KTD600K-Y-U--PH | KEC CORPORATION | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):150mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@50mA,5V;特征频率(fT):130MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| KTB631K-Y-U--PH | KEC CORPORATION | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):150mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@50mA,5V;特征频率(fT):110MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| KIA7042AF-RTF--P | KEC CORPORATION | 双线性集成电路，电压监控，检测电压为4.2V | | | 获取价格 |
| KRA101-AT--P | KEC CORPORATION | 晶体管类型:1个PNP-预偏置;功率(Pd):625mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V; | | | 获取价格 |
| KTC1027-Y-AT--P | KEC CORPORATION | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):800mA;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):80@100mA,5V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| KIA393F-EL--P | KEC CORPORATION | 比较器 FLP8 1.3μs -40℃~+125℃ 2mV 25nA | | | 获取价格 |
| KRC402-RTK--P | KEC CORPORATION | NPN,Vo=50V,Io=100mA | | | 获取价格 |
| SMAB34-RTK--HG | KEC CORPORATION | 肖特基二极管 VRRM=40V Io=3A SMA | | | 获取价格 |
| BFS20_99 | KEC[KEC(KoreaElectronics)] | BFS20_99 - EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR - KEC(Korea Electronics) | | | 获取价格 |
| BF421_02 | KEC[KEC(KoreaElectronics)] | BF421_02 - SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED TYPE - KEC(Korea Electronics) | | | 获取价格 |
| BF421 | KEC[KEC(KoreaElectronics)] | BF421 - SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH VOLTAGE SWITCHING AND AMPLIFIER,COLOR TV CHROMA OUTPUT) - KEC(Korea Electronics) | | | 获取价格 |
| BD139 | KEC[KEC(KoreaElectronics)] | BD139 - EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR - KEC(Korea Electronics) | | | 获取价格 |
| B30A45VIC_07 | KEC[KEC(KoreaElectronics)] | B30A45VIC_07 - SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE - KEC(Korea Electronics) | | | 获取价格 |
| BCW32_98 | KEC[KEC(KoreaElectronics)] | BCW32_98 - SOT-23 PACKAGE - KEC(Korea Electronics) | | | 获取价格 |
| BCW30 | KEC[KEC(KoreaElectronics)] | BCW30 - EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) - KEC(Korea Electronics) | | | 获取价格 |
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