| SVF4N65RDTR | Silan | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):77W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):13nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):440pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):4pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 1N4003 | SILAN[SilanMicroelectronicsJoint-stock] | 1N4003 - GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIER VOLTAGE RANGE 50 TO 1000 Volts Current 1 Ampere - Silan Microelectronics Joint-stock | | | 获取价格 |
| 1N4001 | SILAN[SilanMicroelectronicsJoint-stock] | 1N4001 - GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIER VOLTAGE RANGE 50 TO 1000 Volts Current 1 Ampere - Silan Microelectronics Joint-stock | | | 获取价格 |
| SVF4N65F | Silan | SVF4N65F | | | 获取价格 |
| SGT50T65FD1PN | Silan | SGT50T65FD1PN | | | 获取价格 |
| SVF7N65CF | Silan | SVF7N65CF | | | 获取价格 |
| SBD20C100F | Silan | SBD20C100F | | | 获取价格 |
| SA1117BH-3.3TR | Silan | SA1117BH-3.3TR | | | 获取价格 |
| SGT60N60FD1PN | Silan | SGT60N60FD1PN | | | 获取价格 |
| SVF18N50F | Silan | SVF18N50F | | | 获取价格 |
| SDH8654B | Silan | 内置高压 MOSFET的PWM+PFM控制器系列 | | | 获取价格 |
| SDH8323B | Silan | 电流模式PWM控制器 | | | 获取价格 |
| SDH8322STR | Silan | 电流模式PWM控制器 12V、15V、18V输出电压可调 | | | 获取价格 |
| SDH8302 | Silan | 电流模式PWM控制器 | | | 获取价格 |
| SVF2N60M | Silan | N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：44W | | | 获取价格 |
| SDH8302STR | Silan | 电流模式PWM控制器 | | | 获取价格 |
| SVF12N60F | Silan | N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：51W | | | 获取价格 |
| SVF12N65F | Silan | MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=12A RDS(ON)=800mΩ@10V TO220F | | | 获取价格 |
| 3VD324600YL | SILAN[SilanMicroelectronicsJoint-stock] | 3VD324600YL - HIGH VOLTAGE MOSFET CHIPS - Silan Microelectronics Joint-stock | | | 获取价格 |
| 3VD235600YL | SILAN[SilanMicroelectronicsJoint-stock] | 3VD235600YL - HIGH VOLTAGE MOSFET CHIPS - Silan Microelectronics Joint-stock | | | 获取价格 |
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