找到“IR21084”相关的规格书共7,852个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| MMSZ3V3T1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：3.3V 稳压值(范围)：3.14V~3.47V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：5uA@1V 阻抗(Zzt)：95Ω | 获取价格 | ||
| SMAZ30-13-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：30V 稳压值(范围)：28.5V~31.5V 精度：±5% 功率：1W 反向电流(Ir)：500nA@22.8V 阻抗(Zzt)：15Ω | 获取价格 | ||
| 1SMA5934BT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：24V 稳压值(范围)：22.8V~24V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：500nA@18.2V 阻抗(Zzt)：19Ω | 获取价格 | ||
| BZT52C16S-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：16V 稳压值(范围)：15.3V~17.1V 功率：200mW 反向电流(Ir)：100nA@11.2V 阻抗(Zzt)：40Ω | 获取价格 | ||
| BZT52C51-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：51V 稳压值(范围)：48V~54V 功率：370mW 反向电流(Ir)：100nA@38V 阻抗(Zzt)：100Ω | 获取价格 | ||
| BZT52C2V7S-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：2.7V 稳压值(范围)：2.5V~2.9V 功率：200mW 反向电流(Ir)：20uA@1V 阻抗(Zzt)：100Ω | 获取价格 | ||
| BZT52C33S-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：33V 稳压值(范围)：31V~35V 功率：200mW 反向电流(Ir)：100nA@23.1V 阻抗(Zzt)：80Ω | 获取价格 | ||
| BZT52C39S-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：39V 稳压值(范围)：37V~41V 功率：200mW 反向电流(Ir)：100nA@27.3V 阻抗(Zzt)：130Ω | 获取价格 | ||
| BZT52C30S-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：30V 稳压值(范围)：28V~32V 功率：200mW 反向电流(Ir)：100nA@21V 阻抗(Zzt)：80Ω | 获取价格 | ||
| 1SMB5931BT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：18V 稳压值(范围)：17.1V~18.9V 精度：±5% 功率：550mW 反向电流(Ir)：1uA@13.7V 阻抗(Zzt)：12Ω | 获取价格 | ||
| BZT52C13-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：13V 稳压值(范围)：12.4V~14.1V 功率：370mW 反向电流(Ir)：100nA@8V 阻抗(Zzt)：30Ω | 获取价格 | ||
| BZX84C18-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：18V 稳压值(范围)：16.8V~19.1V 功率：350mW 反向电流(Ir)：100nA@12.6V 阻抗(Zzt)：45Ω | 获取价格 | ||
| RS1K-13-F | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：800V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.3V@1A 反向电流(Ir)：5uA@800V 反向恢复时间(trr)：500ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| US1G-E3--61T | Vishay Intertechnology, Inc. | 直流反向耐压(Vr)：400V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1V@1A 反向电流(Ir)：10uA@400V 反向恢复时间(trr)：50ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| RS1J-E3--61T | Vishay Intertechnology, Inc. | 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.3V@1A 反向电流(Ir)：5uA@600V 反向恢复时间(trr)：250ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| ES2G-13-F | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：400V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：1.25V@2A 反向电流(Ir)：5uA@400V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| US1D-13-F | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1V@1A 反向电流(Ir)：5uA@200V 反向恢复时间(trr)：50ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| RS1MB-13-F | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.3V@1A 反向电流(Ir)：5uA@1kV 反向恢复时间(trr)：500ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| US1K-13-F | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：800V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.7V@1A 反向电流(Ir)：5uA@800V 反向恢复时间(trr)：75ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| RS1DB-13-F | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.3V@1A 反向电流(Ir)：5uA@200V 反向恢复时间(trr)：150ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 |
