找到“IR21091SPbF”相关的规格书共8,091个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| 5.0SMDJ36A-H | YINT Electronics | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):36V;击穿电压(最小值):40V;击穿电压(最大值):44.2V;反向漏电流(Ir):2uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:86.1A;最大钳位电压:58.1V; | 获取价格 | ||
| FHP20150A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):150V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):830mV@10A;反向电流(Ir):1.1uA@150V; | 获取价格 | ||
| ER3G | DIYI ELECTRONIC | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):1.25V@3A;反向电流(Ir):5uA@400V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| D6JA80 | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 直流反向耐压(Vr):800V;平均整流电流(Io):6A;正向压降(Vf):1V@3A;反向电流(Ir):5uA@800V;正向浪涌电流(Ifsm):175A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HBR20100-220 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):780mV@10A;反向电流(Ir):10uA@100V; | 获取价格 | ||
| HBR3045-220 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):45V;平均整流电流(Io):15A;正向压降(Vf):640mV@15A;反向电流(Ir):50uA@45V; | 获取价格 | ||
| IDK12G65C5 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):12A;正向压降(Vf):1.5V@12A;反向电流(Ir):650nA@650V; | 获取价格 | ||
| BAV 199 E6433 | Infineon Technologies | 二极管配置:1对串联式;直流反向耐压(Vr):80V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):5nA@75V; | 获取价格 | ||
| IDH12G65C6 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):27A;正向压降(Vf):1.25V@12A;反向电流(Ir):1.2uA@420V; | 获取价格 | ||
| IDH05G120C5 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1.2kV;平均整流电流(Io):19.1A;正向压降(Vf):1.5V@5A;反向电流(Ir):2.5uA@1.2kV; | 获取价格 | ||
| BAS 70-04S H6827 | Infineon Technologies | 二极管配置:2对串联式;直流反向耐压(Vr):70V;平均整流电流(Io):70mA;正向压降(Vf):880mV@15mA;反向电流(Ir):100nA@50V; | 获取价格 | ||
| IDL04G65C5 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):4A;正向压降(Vf):1.5V@4A;反向电流(Ir):200nA@650V; | 获取价格 | ||
| IDK16G120C5 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1.2kV;平均整流电流(Io):40A;正向压降(Vf):1.65V@16A;反向电流(Ir):5.5uA@1.2kV; | 获取价格 | ||
| BAR 63-06W H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:1对共阳极;直流反向耐压(Vr):50V;平均整流电流(Io):100mA;正向压降(Vf):1.2V@100mA;反向电流(Ir):10nA@35V; | 获取价格 | ||
| IDH20G120C5 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1.2kV;平均整流电流(Io):56A;正向压降(Vf):1.5V@20A;反向电流(Ir):8.5uA@1.2kV; | 获取价格 | ||
| IDH09G65C5 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):9A;正向压降(Vf):1.5V@9A;反向电流(Ir):450nA@650V; | 获取价格 | ||
| BAR 64-02EL E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):150V;平均整流电流(Io):100mA;正向压降(Vf):950mV@100mA;反向电流(Ir):20nA@20V; | 获取价格 | ||
| AIDW30S65C5 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):30A;正向压降(Vf):1.5V@30A;反向电流(Ir):5uA@650V; | 获取价格 | ||
| IDK05G120C5 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1.2kV;平均整流电流(Io):19.1A;正向压降(Vf):1.5V@5A;反向电流(Ir):2.5uA@1.2kV; | 获取价格 | ||
| BAV 199 E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:1对串联式;直流反向耐压(Vr):80V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):5nA@75V; | 获取价格 |
