找到“IR21091SPbF”相关的规格书共8,091个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| HZ3C3 | ST(先科) | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):-;稳压值(范围):3.3V~3.5V;精度:-;功率:500mW;反向电流(Ir):5uA@500mV;阻抗(Zzt):100Ω; | 获取价格 | ||
| 1N5232B_AY_10001 | PANJIT SEMI CONDUCTOR | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):5.6V;稳压值(范围):5.32V~5.88V;精度:-;功率:500mW;反向电流(Ir):5uA@3V;阻抗(Zzt):11Ω; | 获取价格 | ||
| TCZM10BTR | T&C Technology | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):10V;稳压值(范围):9.8V~10.2V;精度:±2%;功率:500mW;反向电流(Ir):180nA@7V;阻抗(Zzt):18Ω; | 获取价格 | ||
| ZMM5254B_R1_10001 | PANJIT SEMI CONDUCTOR | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):27V;稳压值(范围):25.65V~28.35V;精度:±5%;功率:500mW;反向电流(Ir):100nA@21V;阻抗(Zzt):41Ω; | 获取价格 | ||
| TCZM4V7BTR | T&C Technology | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):4.7V;稳压值(范围):4.61V~4.79V;精度:±2%;功率:500mW;反向电流(Ir):2.7uA@2V;阻抗(Zzt):75Ω; | 获取价格 | ||
| ZMM5260B | ST(先科) | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):43V;稳压值(范围):40.85V~45.15V;精度:±5%;功率:500mW;反向电流(Ir):100nA@33V;阻抗(Zzt):93Ω; | 获取价格 | ||
| GLZ16A_R1_10001 | PANJIT SEMI CONDUCTOR | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):-;稳压值(范围):14.8V~15.57V;精度:-;功率:500mW;反向电流(Ir):200nA@12V;阻抗(Zzt):18Ω; | 获取价格 | ||
| PSBD1DF40V2H | Shanghai Prisemi Electronics Co.,Ltd | 开关二极管 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：550mV@2A 反向电流(Ir)：500uA@40V 工作温度：-55℃~+150℃ | 获取价格 | ||
| 1N5359BRLG | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：24V 稳压值(范围)：22.8V~25.2V 精度：±5% 功率：5W 反向电流(Ir)：500nA@18.2V 阻抗(Zzt)：3.5Ω 24V 5W | 获取价格 | ||
| 1SMA5938BT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：36V 稳压值(范围)：34.2V~37.8V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：500nA@27.4V 阻抗(Zzt)：38Ω 36V,1.5W | 获取价格 | ||
| MMSZ6V8T1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：6.8V 稳压值(范围)：6.46V~7.14V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：2uA@4V 阻抗(Zzt)：15Ω | 获取价格 | ||
| MMSZ5225BT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：3V 稳压值(范围)：2.85V~3.15V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：50uA@1V 阻抗(Zzt)：29Ω | 获取价格 | ||
| 1N4148WL2-TP | Micro Commercial Components | 功率：100mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：5uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| UF5408-E3--54 | Vishay Intertechnology, Inc. | 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：1.7V@3A 反向电流(Ir)：10uA@1kV 反向恢复时间(trr)：75ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| RS2M | SUNMATE electronic Co., LTD | 直流反向耐压(Vr)：1KV 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：1.3V 反向电流(Ir)：5uA@1kV 反向恢复时间(trr)：500ns | 获取价格 | ||
| 1N4148WS | YONGYUTAI | 功率：500mW 直流反向耐压(Vr)：71V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| SD08C | MDD辰达半导体 | Bi PD=350W VRWM=8V VBR=8.5V VC=24V IPP=15A IR=2uA CJ=120PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| SD12 | MDD辰达半导体 | Uni PD=350W VRWM=12V VBR=13.3V VC=32V IPP=11A IR=1uA CJ=130PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| 1SS193 | Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd. | 二极管配置：独立式 功率：150mW 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：920mV@100mA 反向电流(Ir)：500nA@80V | 获取价格 | ||
| CD4148WP | Lizhi Electronics (Kunshan) Co., Ltd. | 功率：400mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@100mA 反向电流(Ir)：5uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 |
