找到“IR21091SPbF”相关的规格书共8,091个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| MMSZ5240B-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：10V 稳压值(范围)：9.59V~10.5V 功率：500mW 反向电流(Ir)：3uA@8V 阻抗(Zzt)：17Ω SOD123 | 获取价格 | ||
| MBRB2545CTT4G | ON Semiconductor | 二极管配置：1对共阴极 直流反向耐压(Vr)：45V 平均整流电流(Io)：15A 正向压降(Vf)：620mV@15A 反向电流(Ir)：200uA@45V 工作温度：-65℃~+175℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| 1SS184 | Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd | 二极管配置：1对共阴极 功率：150mW 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：1.2V@100mA 反向电流(Ir)：500nA@80V | 获取价格 | ||
| US1M | Guangdong Hottech Co. Ltd. | 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.7V@1A 反向电流(Ir)：5μA@1kV 反向恢复时间(trr)：75ns | 获取价格 | ||
| 1SMA5918BT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：5.1V 稳压值(范围)：4.84V~5.36V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：2.5uA@2V 阻抗(Zzt)：4Ω | 获取价格 | ||
| 1SMA5929BT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：15V 稳压值(范围)：14.25V~15.75V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：500nA@11.4V 阻抗(Zzt)：9Ω | 获取价格 | ||
| 1SMA5921BT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：6.8V 稳压值(范围)：6.46V~7.14V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：2.5uA@5.2V 阻抗(Zzt)：2.5Ω | 获取价格 | ||
| BZT52C2V7-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：2.7V 稳压值(范围)：2.5V~2.9V 功率：370mW 反向电流(Ir)：20uA@1V 阻抗(Zzt)：100Ω | 获取价格 | ||
| 1SMB5925BT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：10V 稳压值(范围)：9.5V~10.5V 精度：±5% 功率：550mW 反向电流(Ir)：5uA@8V 阻抗(Zzt)：4.5Ω | 获取价格 | ||
| 1SMB5938BT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：36V 稳压值(范围)：34.2V~37.8V 精度：±5% 功率：550mW 反向电流(Ir)：1uA@27.4V 阻抗(Zzt)：38Ω 36V 0.55W | 获取价格 | ||
| BZT52C24-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：24V 稳压值(范围)：22.8V~25.6V 功率：370mW 反向电流(Ir)：100nA@16.8V 阻抗(Zzt)：70Ω | 获取价格 | ||
| MMBZ5245BLT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：15V 稳压值(范围)：14.25V~15.75V 功率：300mW 反向电流(Ir)：100nA@11V 阻抗(Zzt)：16Ω | 获取价格 | ||
| MURS360T3G | ON Semiconductor | 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：4A 正向压降(Vf)：1.28V@4A 反向电流(Ir)：10uA@600V 反向恢复时间(trr)：75ns 工作温度：-65℃~+175℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| RS1JB-13-F | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.3V@1A 反向电流(Ir)：5uA@600V 反向恢复时间(trr)：250ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| US1A-13-F | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：50V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1V@1A 反向电流(Ir)：5uA@50V 反向恢复时间(trr)：50ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| RS1J-13-F | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.3V@1A 反向电流(Ir)：5uA@600V 反向恢复时间(trr)：250ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| RS1A-13-F | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：50V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.3V@1A 反向电流(Ir)：5uA@50V 反向恢复时间(trr)：150ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| RS1B-13-F | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.3V@1A 反向电流(Ir)：5uA@100V 反向恢复时间(trr)：150ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| BAS321Z | Nexperia | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：250mA 正向压降(Vf)：1.25V@200mA 反向电流(Ir)：100nA@200V | 获取价格 | ||
| 1SMB5935BT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：27V 稳压值(范围)：25.65V~28.35V 精度：±5% 功率：550mW 反向电流(Ir)：1uA@20.6V 阻抗(Zzt)：23Ω | 获取价格 |
