找到“IR21091SPbF”相关的规格书共8,091个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1SMB5914BT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：3.6V 稳压值(范围)：3.42V~3.78V 精度：±5% 功率：550mW 反向电流(Ir)：75uA@1V 阻抗(Zzt)：9Ω 3.6V 3W | 获取价格 | ||
| 1SMB5913BT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：3.3V 稳压值(范围)：3.13V~3.47V 精度：±5% 功率：550mW 反向电流(Ir)：100uA@1V 阻抗(Zzt)：10Ω | 获取价格 | ||
| 1SMA5942BT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：51V 稳压值(范围)：48.45V~53.55V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：500nA@38.8V 阻抗(Zzt)：70Ω | 获取价格 | ||
| 1SMA5920BT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：6.2V 稳压值(范围)：5.89V~6.51V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：2.5uA@4V 阻抗(Zzt)：2Ω | 获取价格 | ||
| 1SMA5915BT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：3.9V 稳压值(范围)：3.7V~4.1V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：12.5uA@1V 阻抗(Zzt)：7.5Ω | 获取价格 | ||
| MMSZ5260BT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：43V 稳压值(范围)：40.85V~45.15V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：100nA@33V 阻抗(Zzt)：93Ω | 获取价格 | ||
| MMSZ5252BT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：24V 稳压值(范围)：22.8V~25.2V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：100nA@18V 阻抗(Zzt)：33Ω | 获取价格 | ||
| MMSZ5248BT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：18V 稳压值(范围)：17.1V~18.9V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：100nA@14V 阻抗(Zzt)：21Ω | 获取价格 | ||
| MMSZ5221BT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：2.4V 稳压值(范围)：2.28V~2.52V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：100uA@1V 阻抗(Zzt)：30Ω | 获取价格 | ||
| KBU1010 | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：10A 正向压降(Vf)：1.1V@5A 反向电流(Ir)：10uA@1kV 正向浪涌电流(Ifsm)：170A | 获取价格 | ||
| TTR5MF | MDD辰达半导体 | 直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):1.1V@5A;反向电流(Ir):5uA@1kV;正向浪涌电流(Ifsm):200A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| RS2A | MDD辰达半导体 | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):50V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1.3V@2A;反向电流(Ir):5uA@50V;反向恢复时间(trr):150ns;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MBRF2045CT | MDD辰达半导体 | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):45V;平均整流电流(Io):20A;正向压降(Vf):550mV@10A;反向电流(Ir):1mA@45V@45V; | 获取价格 | ||
| KBPC608 | MDD辰达半导体 | 直流反向耐压(Vr):800V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):1V@3A;反向电流(Ir):10uA@800V;正向浪涌电流(Ifsm):125A;工作温度:-55℃~+125℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SMF100CA | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):100V;击穿电压(最小值):111V;击穿电压(最大值):123V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:1.2A;最大钳位电压:162V; | 获取价格 | ||
| P6KE480CA/B | Brightking | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):408V;击穿电压:456V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:900mA;最大钳位电压:658V; | 获取价格 | ||
| P6KE51A/B | Brightking | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):43.6V;击穿电压:48.5V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:8.7A;最大钳位电压:70.1V; | 获取价格 | ||
| SA5.0CA/B | Brightking | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):5V;击穿电压:6.4V;反向漏电流(Ir):600uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:55.4A;最大钳位电压:9.2V; | 获取价格 | ||
| P6KE100CA/B | Brightking | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):85.5V;击穿电压:95V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:4.5A;最大钳位电压:137V; | 获取价格 | ||
| P6KE16CA/B | Brightking | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):13.6V;击穿电压:15.2V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:27.1A;最大钳位电压:22.5V; | 获取价格 |
