找到“IR21091SPbF”相关的规格书共8,091个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1SS355 | TAIWAN SEMICONDUCTOR | 二极管配置：独立式 功率：200mW 直流反向耐压(Vr)：90V 平均整流电流(Io)：250mA 正向压降(Vf)：1.2V@100mA 反向电流(Ir)：100nA@80V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| 1SS181 | Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd | 二极管配置：1对共阳极 功率：150mW 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：1.2V@100mA 反向电流(Ir)：500nA@80V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| HER104 | MDD辰达半导体 | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：300V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.3V@1A 反向电流(Ir)：5uA@300V 反向恢复时间(trr)：50ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| BAS16TW-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 功率：200mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| MMBD3004S-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：1对串联式 功率：350mW 直流反向耐压(Vr)：300V 平均整流电流(Io)：225mA 正向压降(Vf)：1.25V@200mA 反向电流(Ir)：100nA@240V 反向恢复时间(trr)：50ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| BAS21THVL | Nexperia | 二极管配置：独立式 功率：300mW 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：1.25V@200mA 反向电流(Ir)：100nA@200V 反向恢复时间(trr)：50ns | 获取价格 | ||
| MUR480ERLG | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：800V 平均整流电流(Io)：4A 正向压降(Vf)：1.85V@4A 反向电流(Ir)：25uA@400V 反向恢复时间(trr)：100ns 工作温度：-65℃~+175℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| FR157G | Changzhou Galaxy microelectronics Limited | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):1.5A;正向压降(Vf):1.3V@1.5A;反向电流(Ir):5uA@1kV;反向恢复时间(trr):500ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FR107 | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.3V@1A 反向电流(Ir)：2.5μA@1kV 反向恢复时间(trr)：500ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| ES5CC | Jingdao | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):150V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):1V@5A;反向电流(Ir):5uA@150V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HER204 | Goodwork Semiconductor Co.,Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):300V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1.3V@2A;反向电流(Ir):5uA@300V;反向恢复时间(trr):50ns;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ES3BCG | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):1V@3A;反向电流(Ir):5uA@100V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 1N4148WT | Anbon Semiconductor Co., Ltd. | 二极管配置：独立式 功率：150mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| 15F60HF-220HF2L | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):15A;正向压降(Vf):1.4V@15A;反向电流(Ir):50uA@600V;反向恢复时间(trr):68.8ns;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAW 56U E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:2对共阳极;功率:250mW;直流反向耐压(Vr):80V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):150nA@70V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAT 18-04 E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:1对串联式;功率:-;直流反向耐压(Vr):35V;平均整流电流(Io):100mA;正向压降(Vf):1.2V@100mA;反向电流(Ir):20nA@20V;反向恢复时间(trr):120ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAS 16S H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:3个独立式;功率:250mW;直流反向耐压(Vr):80V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):1uA@75V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAW 78D H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;功率:1W;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):2V@2A;反向电流(Ir):1uA@400V;反向恢复时间(trr):1us;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BB 439 E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;最大反向耐压(Vr):28V;反向电流(Ir):20nA@28V;二极管电容(CT):5.1pF@25V,1MHz;电容比:6.9@C3V/C25V;串联电阻(Rs):300mΩ;工作温度:-55℃~+125℃@(Ta); | 获取价格 | ||
| BAS 21-03W E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;功率:250mW;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):250mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):1uA@75V;反向恢复时间(trr):50ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
