找到“IR21091SPbF”相关的规格书共8,091个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| HSD24C | Guangdong Huixin Electronics Technology Co., Ltd. | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):24V;击穿电压:26V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:-;最大钳位电压:52V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:350W@8/20us; | 获取价格 | ||
| H1DFS | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1V@1A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):50ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 30F120W-2472L | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1.2kV;平均整流电流(Io):30A;正向压降(Vf):3V@30A;反向电流(Ir):100uA@1.2kV;反向恢复时间(trr):40ns;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 10F60UHF-220HF2L | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):1.8V@10A;反向电流(Ir):50uA@600V;反向恢复时间(trr):21ns;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 20F40UHF-220HF2L | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):20A;正向压降(Vf):1.7V@20A;反向电流(Ir):50uA@400V;反向恢复时间(trr):34ns;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| IDP45E60 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;功率:187W;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):71A;正向压降(Vf):2V@45A;反向电流(Ir):50uA@600V;反向恢复时间(trr):140ns;工作温度:-40℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| IDP20E65D2 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;功率:120W;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):40A;正向压降(Vf):2.2V@20A;反向电流(Ir):40uA@650V;反向恢复时间(trr):43ns;工作温度:-40℃~+175℃@(Tvj); | 获取价格 | ||
| BBY 58-02V H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;最大反向耐压(Vr):10V;反向电流(Ir):10nA@8V;二极管电容(CT):4.7pF@6V,1MHz;电容比:3.05@C1V/C4V;串联电阻(Rs):300mΩ;工作温度:-55℃~+125℃@(Ta); | 获取价格 | ||
| BAV 70U E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:2对共阴极;功率:250mW;直流反向耐压(Vr):80V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):150nA@70V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAV 70S H6827 | Infineon Technologies | 二极管配置:2对共阴极;功率:250mW;直流反向耐压(Vr):80V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):150nA@70V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAV 99S H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:2对串联式;功率:250mW;直流反向耐压(Vr):80V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):150nA@70V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| IDP30E60 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;功率:142.9W;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):52.3A;正向压降(Vf):2V@30A;反向电流(Ir):50uA@600V;反向恢复时间(trr):126ns;工作温度:-40℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BBY 53-03W E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;最大反向耐压(Vr):6V;反向电流(Ir):10nA@4V;二极管电容(CT):2.4pF@3V,1MHz;电容比:2.2@C1V/C3V;串联电阻(Rs):470mΩ;工作温度:-55℃~+125℃@(Ta); | 获取价格 | ||
| BAV23QAZ | Rubycon Corporation | 二极管配置:1对共阴极;功率:350mW;直流反向耐压(Vr):250V;平均整流电流(Io):230mA;正向压降(Vf):1.25V@200mA;反向电流(Ir):100nA@200V;反向恢复时间(trr):50ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAS416F | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;功率:250mW;直流反向耐压(Vr):85V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):3pA@75V;反向恢复时间(trr):800ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAS521BX | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;功率:380mW;直流反向耐压(Vr):250V;平均整流电流(Io):250mA;正向压降(Vf):1.25V@200mA;反向电流(Ir):100nA@200V;反向恢复时间(trr):50ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAS45A,143 | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;功率:300mW;直流反向耐压(Vr):125V;平均整流电流(Io):250mA;正向压降(Vf):1V@100mA;反向电流(Ir):1nA@125V;反向恢复时间(trr):1.5us;工作温度:+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAS16VV,115 | Rubycon Corporation | 二极管配置:3个独立式;功率:180mW;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):500nA@80V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 1N4531,113 | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;功率:500mW;直流反向耐压(Vr):75V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1V@10mA;反向电流(Ir):100nA@50V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+200℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAV70S,135 | Rubycon Corporation | 二极管配置:2对共阴极;功率:350mW;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):250mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):500nA@80V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
