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型号厂商描述数据手册替代料参考价格
1.5SMC82CA BK PBFREECentral极性:-;反向截止电压(Vrwm):70.1V;击穿电压(最小值):77.9V;击穿电压(最大值):-;反向漏电流(Ir):-;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:13.3A;最大钳位电压:113V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:1.5kW;获取价格
1.5SMC33A TR13 PBFREECentral极性:-;反向截止电压(Vrwm):28.2V;击穿电压(最小值):31.4V;击穿电压(最大值):-;反向漏电流(Ir):-;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:33A;最大钳位电压:45.7V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:1.5kW;获取价格
1.5SMC170CA TR13 PBFREECentral极性:-;反向截止电压(Vrwm):145V;击穿电压(最小值):161.5V;击穿电压(最大值):-;反向漏电流(Ir):-;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:6.4A;最大钳位电压:234V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:1.5kW;获取价格
1.5CE27CA BK PBFREECentral极性:-;反向截止电压(Vrwm):23.1V;击穿电压(最小值):25.7V;击穿电压(最大值):-;反向漏电流(Ir):-;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:40A;最大钳位电压:37.5V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:1.5kW;获取价格
1.5CE18A BK PBFREECentral反向截止电压(Vrwm):15.3V;击穿电压(最小值):17.1V;击穿电压(最大值):-;反向漏电流(Ir):-;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:59.5A;最大钳位电压:25.2V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:1.5kW;获取价格
ES2GTJF二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1.25V@2A;反向电流(Ir):5uA@400V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
ES1JTJF二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.7V@1A;反向电流(Ir):5uA@600V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
SF56GShenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):1.25V@5A;反向电流(Ir):10uA@400V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj);获取价格
P6SMB39ARubycon Corporation极性:单向;反向截止电压(Vrwm):33.3V;击穿电压:37.05V;反向漏电流(Ir):5uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:11.1A;最大钳位电压:53.9V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:600W;获取价格
MURS460Zhide Electronic直流反向耐压(Vr):600V;正向压降(Vf):1.25V 4A;反向电流(Ir):5uA 600V;反向恢复时间(trr):50ns;二极管配置:独立式;工作结温(Tj):-55℃~+150℃;工作结温(Tj):-55℃~+150℃;平均整流电流(Io):4A;获取价格
SMAJ20AYINT Electronics极性:单向;反向截止电压(Vrwm):20V;击穿电压(最小值):22.2V;击穿电压(最大值):24.5V;反向漏电流(Ir):1μA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:12.3A;最大钳位电压:32.4V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:400W;获取价格
SMAJ16CA M2GTAIWAN SEMICONDUCTOR极性:-;反向截止电压(Vrwm):16V;击穿电压(最小值):17.8V;击穿电压(最大值):-;反向漏电流(Ir):-;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:15.4A;最大钳位电压:26V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:400W;获取价格
R2MChongqing Pingwei Technology (Group) Co., Ltd.二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):1.5A;正向压降(Vf):1.3V@1.5A;反向电流(Ir):5uA@1kV;反向恢复时间(trr):500ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
SODSF16-SHLeshan Radio Co., Ltd.二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.25V@1A;反向电流(Ir):5uA@400V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
1SS387Rubycon Corporation二极管配置:独立式;功率:150mW;直流反向耐压(Vr):80V;平均整流电流(Io):100mA;正向压降(Vf):1.2V@100mA;反向电流(Ir):500nA@80V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
BBY 56-02V H6327Infineon Technologies二极管配置:独立式;最大反向耐压(Vr):10V;反向电流(Ir):5nA@6V;二极管电容(CT):12.1pF@4V,1MHz;电容比:3.3@C1V/C4V;串联电阻(Rs):250mΩ;工作温度:-55℃~+150℃@(Ta);获取价格
FFMAF203Leshan Radio Co., Ltd.二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1.3V@2A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):150ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
FR304GYangjie Electronic Technology Co., Ltd.二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):1.3V@3A;反向电流(Ir):2.5uA@400V;反向恢复时间(trr):150ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
MUR1660CDYangjie Electronic Technology Co., Ltd.二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):16A;正向压降(Vf):1.45V@8A;反向电流(Ir):10uA@600V;反向恢复时间(trr):25ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
SF14GYangjie Electronic Technology Co., Ltd.二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):950mV@1A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格