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2SC5706-TL-EMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):160mV@2A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@500mA,2V;特征频率(fT):400MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
2SB1205S-EMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):10W;集电极截止电流(Icbo):500nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@3A,60mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):140@500mA,2V;特征频率(fT):320MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
2N5401YTAMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):150V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):50uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@10mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
2SD1060R-1EMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):30W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@3A,300mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1A,2V;特征频率(fT):30MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
2SA1552S-HMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):130mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):140@10mA,5V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
12A02MH-TL-EMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):12V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):600mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):120mV@400mA,20mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):300@10mA,2V;特征频率(fT):450MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
BD135TGMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1.25W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@150mA,2V;特征频率(fT):-;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
2SB1215S-EMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):20W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):150mV@1.5A,150mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):140@500mA,5V;特征频率(fT):180MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
FJA4213OTUMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):250V;集电极电流(Ic):17A;功率(Pd):130W;集电极截止电流(Icbo):5uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@8A,800mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):80@1A,5V;特征频率(fT):30MHz;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj);获取价格
2SD1815T-TL-EMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):20W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):150mV@1.5A,150mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@500mA,5V;特征频率(fT):180MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
2SD1803T-TL-HMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):20W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):220mV@3A,150mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@500mA,2V;特征频率(fT):180MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
2SB1205T-TL-EMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):10W;集电极截止电流(Icbo):500nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@3A,60mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@500mA,2V;特征频率(fT):320MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
BCP56Rubycon Corporation晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-;获取价格
BCP52-16Rubycon Corporation晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):100MHz;获取价格
BCP53T1GMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@150mA,2V;特征频率(fT):50MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj);获取价格
NSS1C201MZ4T1GMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):180mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
BCP69-16,115Rubycon Corporation晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):650mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@500mA,1V;特征频率(fT):140MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
NJT4031NT1GMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@3A,300mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1A,1V;特征频率(fT):215MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
PBSS5350Z,135Rubycon Corporation晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@2A,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
PZT2222ARubycon Corporation晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):10nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@150mA,15mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V;特征频率(fT):300MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格