| 1 | FDN335N | 漏源电压（Vdss）:20V;连续漏极电流（Id）（25°C 时）:3A;栅源极阈值电压:1.0V @ 250uA;漏源导通电阻:60mΩ @ 2.5A,4.5V;... | 下载 | HUASHUO SEMICONDUCTOR |
| 2 | FDC855N | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):6.1A;功率(Pd):1.6W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):27mΩ@10V,6.... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 3 | FDC658AP-VB | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):4.8A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):49mΩ@10V,4.8A;... | 下载 | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 4 | FDC5612 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):4.3A;功率(Pd):1.6W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@4.3A,1... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 5 | FR305G | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):1.3V@3A;反向电流(Ir):2.5uA@600V;反向恢复时... | 下载 | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. |
| 6 | FR505GP-TP | DIODE GPP FAST 5A DO-201AD | 下载 | Micro Commercial Components |
| 7 | FWF39602-S03B22W1B-E2 | 参考系列:-;间距:3.96mm;插针结构:1x3P;排数:1;每排PIN数:3;行距:-;公母:公型插针;安装方式:弯插;额定电流:7A;工作温度范围:-25℃~... | 下载 | TXGA |
| 8 | FWF39602-S05B22W1B | 参考系列:-;间距:3.96mm;插针结构:1x5P;排数:1;每排PIN数:5;行距:-;公母:公型插针;安装方式:弯插;额定电流:7A;工作温度范围:-25℃~... | 下载 | TXGA |
| 9 | FFH12713-D16S1004K6K | 排数:双排;总孔位数:16P;间距:1.27mm;插孔结构:2x8P;行距:1.27mm;安装类型:立贴;圆孔/方孔:方孔;额定电流:1A;额定电压:250V;插孔... | 下载 | TXGA |
| 10 | FH-00077 | 排数:双排;总孔位数:50;间距:2.54mm;插孔结构:2x25P;行距:2.54mm;安装类型:直插;圆孔/方孔:方孔;额定电流:3A;额定电压:-;插孔方向:... | 下载 | Shenzhen Liansheng Precision Connector Co., Ltd. |
| 11 | FP5207XR-G1 | | 下载 | AnalogySemi |
| 12 | FP8102XR-G1 | 1A，线性锂电池充电IC | 下载 | AnalogySemi |
| 13 | FD2H001BAR-LF | 霍尔开关 | 下载 | AnalogySemi |
| 14 | FR103_AY_10001 | 正向压降(Vf):1.3V @ 1A;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):1A;反向恢复时间(trr):150ns;二极管配置:-; | 下载 | PANJIT SEMI CONDUCTOR |
| 15 | FR102 | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.3V@1A;反向电流(Ir):5uA@100V;反向恢复时间(tr... | 下载 | Goodwork Semiconductor Co.,Ltd. |
| 16 | FR104GP-TP | DIODE GPP 1A DO-41 | 下载 | Micro Commercial Components |
| 17 | FR151GP-AP | DIODE GPP FAST 1.5A DO-15 | 下载 | Micro Commercial Components |
| 18 | FR202GP-TP | DIODE GPP GAST 2A DO-15 | 下载 | Micro Commercial Components |
| 19 | FP6396S5 | | 下载 | Fitipower Integrated Technology Inc. |
| 20 | FDP083N15A-F102 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):83A;功率(Pd):294W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.3mΩ@10V,7... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
工商网监