| 1 | HYCW300-SIM06-150B | | 下载 | Huayuchuang Precision Electronics Co., Ltd. |
| 2 | HYG016N04LS1B | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):240A;功率(Pd):200W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.4mΩ@10V,4... | 下载 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. |
| 3 | HYG065P03LQ1D | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):70A;功率(Pd):57.7W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.9mΩ@10V,2... | 下载 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. |
| 4 | HSS2301C | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2.9A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@4.5V,3A... | 下载 | HUASHUO SEMICONDUCTOR |
| 5 | HSS2308A | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):2.3A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V,2A; | 下载 | HUASHUO SEMICONDUCTOR |
| 6 | HT62783ARWZ | 具有额定50V/500mA驱动能力8通道P型达林顿晶体阵列 | 下载 | HTCSEMI |
| 7 | HT2803ARWZ | 八通道高电压，大电流达林顿晶体管阵列 | 下载 | HTCSEMI |
| 8 | HSW2N15 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):1.4A;功率(Pd):1.56W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):480mΩ@10V... | 下载 | HUASHUO SEMICONDUCTOR |
| 9 | H0505S-1WR3 | 电源模块 DC/DC直流转直流 隔离6000Vdc 电源模块5V转5V200mA SIP-4 | 下载 | MORNSUN |
| 10 | HER303 | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):1V@3A;反向电流(Ir):10uA@200V; | 下载 | HL |
| 11 | HER504 | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):300V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):1.3V@5A;反向电流(Ir):10uA@300V; | 下载 | Goodwork Semiconductor Co.,Ltd. |
| 12 | HY3010D | | 下载 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. |
| 13 | HC-VH-9A9W-G | 参考系列:VH;间距:3.96mm;插针结构:1x9P;排数:1;每排PIN数:9;行距:-;公母:公型插针;安装方式:弯插;额定电流:7A;工作温度范围:-25℃... | 下载 | Huacan Tianlu Electronics |
| 14 | HD30N06(AEE) | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;... | 下载 | HL |
| 15 | HG1118M-AD15/TR | 输出类型:-; | 下载 | Guangdong Huaguan Semiconductor Co., Ltd. |
| 16 | HG1118M-3315/TR | 输出类型:-; | 下载 | Guangdong Huaguan Semiconductor Co., Ltd. |
| 17 | HX3248C -AGC | | 下载 | Wuxi Hexin Semiconductor Co., Ltd. |
| 18 | HG1118M-15AD/TR | 输出类型:-; | 下载 | Guangdong Huaguan Semiconductor Co., Ltd. |
| 19 | HT67F4892 | CPU内核:RISC;CPU最大主频:-;程序存储容量:8KB;程序存储器类型:FLASH;RAM总容量:384Byte;GPIO端口数量:-; | 下载 | Holmate Technology Corp. (Holtek) |
| 20 | HK32F031C4T6 | CPU内核:ARM Cortex-M0;CPU最大主频:72MHz;工作电压范围:2V~5.5V;内部振荡器:有;外部时钟频率范围:4MHz~16MHz;程序 FL... | 下载 | Shenzhen Hangshun Integrated Circuit R&D Co. |
工商网监