找到“UGN3140UA”相关的规格书共5,828个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| HBR10150-220HF | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):150V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):890mV@10A;反向电流(Ir):10uA@150V; | 获取价格 | ||
| HBR10200-220HF | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):920mV@10A;反向电流(Ir):10uA@200V; | 获取价格 | ||
| HD30N03 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):1.8W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):19mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| HF13N50 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):13A;功率(Pd):48W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):480mΩ@10V,6.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| HF10N60 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):9.5A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):800mΩ@10V,4.75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| BSZ130N03LS G | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):35A;功率(Pd):25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):13mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA; | 获取价格 | ||
| BSC014N03MS G | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):30A;功率(Pd):2.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.4mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA; | 获取价格 | ||
| BAT 64-04 E6433 | Infineon Technologies | 二极管配置:1对串联式;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):250mA;正向压降(Vf):570mV@100mA;反向电流(Ir):2uA@30V; | 获取价格 | ||
| BAT 15-02ELS E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):4V;平均整流电流(Io):110mA;正向压降(Vf):350mV@10mA;反向电流(Ir):5uA@1V; | 获取价格 | ||
| BAS 40-07W H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:2个独立式;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):120mA;正向压降(Vf):720mV@40A;反向电流(Ir):1uA@30V; | 获取价格 | ||
| BSZ300N15NS5 | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):32A;功率(Pd):62.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,16A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.6V@32uA; | 获取价格 | ||
| BAT 54-05W H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):30V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):800mV@100mA;反向电流(Ir):2uA@25V; | 获取价格 | ||
| AIDK10S65C5 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):1.5V@10A;反向电流(Ir):2uA@650V; | 获取价格 | ||
| BAT 24-02ELS E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):4V;平均整流电流(Io):110mA;正向压降(Vf):350mV@10mA;反向电流(Ir):5uA@1V; | 获取价格 | ||
| AIDW12S65C5 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):12A;正向压降(Vf):1.5V@12A;反向电流(Ir):2uA@650V; | 获取价格 | ||
| IDK10G120C5 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1.2kV;平均整流电流(Io):31.9A;正向压降(Vf):1.5V@10A;反向电流(Ir):4uA@1.2kV; | 获取价格 | ||
| BAS 3010B-03W E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):30V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):480mV@1A;反向电流(Ir):20uA@30V; | 获取价格 | ||
| BSC0925ND | Infineon Technologies | 类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):15A;功率(Pd):2.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA; | 获取价格 | ||
| BAT 54-02LRH E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):30V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):800mV@100mA;反向电流(Ir):2uA@25V; | 获取价格 | ||
| BAT 15-02LS E6433 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):4V;平均整流电流(Io):110mA;正向压降(Vf):350mV@10mA;反向电流(Ir):5uA@1.5V; | 获取价格 |
