找到“UGN3140UA”相关的规格书共5,828个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| HER204 | Goodwork Semiconductor Co.,Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):300V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1.3V@2A;反向电流(Ir):5uA@300V;反向恢复时间(trr):50ns;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| C2383A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):900mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.5V@500mA,50mA;特征频率(fT):20MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| DP0080SB | DC | 反向截止电压(Vdrm):6V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):25V;维持电流(Ih):50mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):80A;断态电容(Co):100pF; | 获取价格 | ||
| CS4N80FA9HD | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):35W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.2Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):865pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):7.5pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD13009A8 | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):12A;功率(Pd):100W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):450mV@8A,1.6A;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ES3BCG | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):1V@3A;反向电流(Ir):5uA@100V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 1N4148WT | Anbon Semiconductor Co., Ltd. | 二极管配置：独立式 功率：150mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| 3DD13009K-O-C-N-B | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):12A;功率(Pd):100W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.8V@8A,1.6A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):8@5A,5V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 15F60HF-220HF2L | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):15A;正向压降(Vf):1.4V@15A;反向电流(Ir):50uA@600V;反向恢复时间(trr):68.8ns;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAS 16S H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:3个独立式;功率:250mW;直流反向耐压(Vr):80V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):1uA@75V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAW 78D H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;功率:1W;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):2V@2A;反向电流(Ir):1uA@400V;反向恢复时间(trr):1us;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAS 21-03W E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;功率:250mW;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):250mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):1uA@75V;反向恢复时间(trr):50ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAS 16-02V H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;功率:250mW;直流反向耐压(Vr):80V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):1uA@75V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAS 16W H6433 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;功率:250mW;直流反向耐压(Vr):80V;平均整流电流(Io):250mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):1uA@75V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 74LV1T08GXH | Rubycon Corporation | 逻辑电路的归属系列:74LV;逻辑类型:与门;通道数:1;电源电压:1.6V~5.5V;静态电流(最大值):1uA;灌电流(IOL):8mA;拉电流(IOH):8mA;最大传播延迟:4.6ns@5V,30pF; | 获取价格 | ||
| 74HCT2G32DC,125 | Rubycon Corporation | 逻辑电路的归属系列:74HCT;逻辑类型:或门;通道数:2;电源电压:4.5V~5.5V;静态电流(最大值):1uA;灌电流(IOL):4mA;拉电流(IOH):4mA;最大传播延迟:24ns@4.5V,50pF; | 获取价格 | ||
| HEF4081BT,652 | Rubycon Corporation | 逻辑电路的归属系列:4000B;逻辑类型:与门;通道数:4;电源电压:3V~15V;静态电流(最大值):1uA;灌电流(IOL):3.4mA;拉电流(IOH):3.4mA;最大传播延迟:40ns@15V,50pF; | 获取价格 | ||
| 74AUP1T32GXH | Rubycon Corporation | 逻辑电路的归属系列:74AUP;逻辑类型:或门;通道数:1;电源电压:2.3V~3.6V;静态电流(最大值):1.2uA;灌电流(IOL):4mA;拉电流(IOH):4mA;最大传播延迟:7ns@3.3V,30pF; | 获取价格 | ||
| DM6W36A-13 | Diodes Incorporated | 极性:-;反向截止电压(Vrwm):36V;击穿电压(最小值):40V;击穿电压(最大值):44.2V;反向漏电流(Ir):10uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:79A;最大钳位电压:58.1V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:4.6kW; | 获取价格 | ||
| DM8W20AQ-13 | Diodes Incorporated | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):20V;击穿电压(最小值):22.2V;击穿电压(最大值):24.5V;反向漏电流(Ir):10uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:-;最大钳位电压:32.4V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:6.6kW; | 获取价格 |
